[发明专利]C波段低插损高抑制微型带通滤波器

权利要求书

1.一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器，其特征在于：包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口（P1）、输入电感（Lin）、由第一电感（L4）和第一电容（C4）并联而成的第一级并联谐振单元(L4、C4)、由第一耦合电感（L43）和第一耦合电容（C43）串联而成的第一电磁耦合电路（L43、C43）、由第二电感（L3）和第二电容（C3）并联而成的第二级并联谐振单元(L3、C3)、由第二耦合电感（L32）和第二耦合电容（C32）串联而成的第二电磁耦合电路（L32、C32）、由第三电感（L2）和第三电容（C2）并联而成的第三级并联谐振单元(L2、C2)、由第三耦合电感（L21）和第三耦合电容（C21）串联而成的第三电磁耦合电路（L21、C21）、由第四电感（L1）和第四电容（C1）并联而成的第四级并联谐振单元(L1、C1)、由第四耦合电感（L41）和第四耦合电容（C41）串联而成的第四电磁耦合电路（L41、C41）、输出电感（Lout）、表面贴装的50欧姆阻抗输出端口（P2）和接地端；输入端口（P1）与输入电感（Lin）连接，输出端口（P2）与输出电感（Lout）连接，该输出电感（Lout）与输入电感（Lin）之间并联第一级并联谐振单元(L4、C4)、第二级并联谐振单元(L3、C3)、第三级并联谐振单元(L2、C2)和第四级并联谐振单元(L1、C1)，在第一级并联谐振单元(L4、C4)与第二级并联谐振单元(L3、C3)之间串联第一电磁耦合电路（L43、C43）；第二级并联谐振单元(L3、C3)与第三级并联谐振单元(L2、C2)之间串联第二电磁耦合电路（L32、C32）；第三级并联谐振单元(L2、C2)与第四级并联谐振单元(L1、C1)之间串联第三电磁耦合电路（L21、C21）；第一级并联谐振单元(L4、C4)与第四级并联谐振单元(L1、C1)之间串联第四电磁耦合电路（L41、C41）；所述的第一级并联谐振单元(L4、C4)、第二级并联谐振单元(L3、C3)、第三级并联谐振单元(L2、C2)和第四级并联谐振单元(L1、C1)的另一端分别接地。

2.根据权利要求1所述的C波段低插损高抑制微型带通滤波器，其特征在于：第一级并联谐振单元(L4、C4) 、第一电磁耦合电路（L43、C43）、第二级并联谐振单元(L3、C3) 、第二电磁耦合电路（L32、C32）、第三级并联谐振单元(L2、C2)、第三电磁耦合电路（L21、C21）、第四级并联谐振单元(L1、C1)、第四电磁耦合电路（L41、C41）、输出电感（Lout）、表面安装的50欧姆阻抗输出端口（P2）和接地端均采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，其中输入电感（Lin）、输出电感（Lout）均采用分布参数的带状线实现，第一级并联谐振单元(L4，C4)、第二级并联谐振单元(L3，C3)、第三级并联谐振单元(L2，C2)、第四级并联谐振单元(L1，C1)均采用三层折叠耦合带状线实现，第一耦合电容（C41）、第二耦合电容（C32）、第三耦合电容（C21）、第四耦合电容（C41）均分别采用第一级并联谐振单元（L4，C4）与第二级并联谐振单元(L3，C3)之间、第二级并联谐振单元（L3，C3）与第三级并联谐振单元(L2，C2)之间、第三级并联谐振单元(L2，C2)与第四级并联谐振单元(L1，C1)之间、第一级并联谐振单元（L4，C4）与第四级并联谐振单元(L1，C1)之间空间耦合和分布参数电容实现，第一耦合电感（L43）、第二耦合电感（L32）、第三耦合电感（L21）、第四耦合电感（L41）均分别采用第一级并联谐振单元（L4，C4）与第二级并联谐振单元(L3，C3)之间、第二级并联谐振单元（L3，C3）与第三级并联谐振单元(L2，C2)之间、第三级并联谐振单元(L2，C2)与第四级并联谐振单元(L1，C1)之间、第一级并联谐振单元（L4，C4）与第四级并联谐振单元(L1，C1)之间空间耦合和分布参数电感实现。

3.根据权利要求1所要求的C波段低插损高抑制微型带通滤波器，其特征在于：第一级并联谐振单元（L4，C4）、第二级并联谐振单元（L3，C3）、第三级并联谐振单元（L2，C2）、第四级并联谐振单元（L1，C1）采用分布参数三层折叠耦合带状线结构实现，其中每层带状线一端悬空，另一端接地。

4.根据权利要求1所要求的C波段低插损高抑制微型带通滤波器，其特征在于：其中第一电磁耦合电路（L43，C43）中，第一耦合电感（L43）采用第一级并联谐振单元（L4，C4）和第二级并联谐振单元（L3，C3）之间空间耦合和分布参数电感实现，第一耦合电容（C43）采用第一级并联谐振单元（L4，C4）和第二级并联谐振单元（L3，C3）之间空间耦合和分布参数电容实现；第二电磁耦合电路（L32，C32）中，第二耦合电感（L32）采用第二级并联谐振单元（L3，C3）和第三级并联谐振单元（L2，C2）之间空间耦合和分布参数电感实现，第二耦合电容（C32）采用第二级并联谐振单元（L3，C3）和第三级并联谐振单元（L2，C2）之间空间耦合和分布参数电容实现；第三电磁耦合电路（L21，C21）中，第三耦合电感（L21）采用第三级并联谐振单元（L2，C2）和第四级并联谐振单元（L1，C1）之间空间耦合和分布参数电感实现，第三耦合电容（C21）采用第三级并联谐振单元（L2，C2）和第四级并联谐振单元（L1，C1）之间空间耦合和分布参数电容实现；第四电磁耦合电路（L41，C41）中，第四耦合电感（L41）采用第一级并联谐振单元（L4，C4）和第四级并联谐振单元(L1，C1)与Z字形交叉耦合带状线之间空间耦合和分布参数电感实现，第四耦合电容（C41）采用一级并联谐振单元（L4，C4）和第四级并联谐振单元(L1，C1)与Z字形交叉耦合带状线之间空间耦合和分布参数电容实现。