[发明专利]光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模的制造方法，该光掩模在透明基板上具有包含间距宽度P的线与间隙图案的转印用图案，

该光掩模通过使用了所述光掩模的曝光，在形成在被加工体上的正性的抗蚀剂膜上转印所述转印用图案而形成抗蚀剂图案，通过将所述抗蚀剂图案用作掩模的蚀刻，在所述被加工体上形成线宽W_L、间隙宽度W_S的线与间隙的膜图案，该光掩模的制造方法的特征在于，

设定基于蚀刻所述被加工体时的蚀刻条件的侧蚀刻宽度α，

根据所述膜图案的线宽W_L、间隙宽度W_S各方和所述侧蚀刻宽度α，设定所述抗蚀剂图案的线宽R_L和间隙宽度R_S，

根据具有所确定的所述线宽R_L和间隙宽度R_S的抗蚀剂图案，确定所述曝光时的曝光条件以及所述转印用图案的线宽M_L和间隙宽度M_S，

并且，所述转印用图案的线宽M_L与所确定的所述线宽R_L不同，所述转印用图案的间隙宽度M_S与所确定的所述间隙宽度R_S不同。

2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

根据所述曝光条件的确定，确定所述转印用图案的线宽M_L和间隙宽度M_S。

3.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

根据所述转印用图案的线宽M_L和间隙宽度M_S的确定，确定所述曝光条件。

4.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述转印用图案的线宽M_L比所述抗蚀剂图案的线宽R_L小，

所述转印用图案的间隙宽度M_S比所述抗蚀剂图案的间隙宽度R_S大。

5.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在设用于所述曝光的光的波长的中央值为λ、用于所述曝光的曝光装置的光学系统的数值孔径为NA时，所述转印用图案的间距宽度P满足下式：

P≤2R，

其中R＝0.61(λ/NA)×1/1000，

所述λ的单位为nm，所述间距宽度P的单位为μm。

6.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述间距宽度P为6μm以下。

7.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述转印用图案是通过对遮光膜进行图案形成而得到的。

8.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述转印用图案是通过对半透光膜进行图案形成而得到的。

9.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述转印用图案是通过对半透光膜进行图案形成而得到的，

透射过所述透明基板的曝光光与透射过所述透明基板以及所述转印用图案的曝光光的相位差为90度以下。

10.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述光掩模的制造方法具有以下工序：利用光刻法对形成在所述透明基板上的遮光膜或半透光膜进行图案形成，形成所确定的所述线宽M_L、间隙宽度M_S的所述转印用图案。

11.一种图案转印方法，其特征在于，

隔着利用权利要求1～10中的任意一项所记载的制造方法制成的光掩模，向所述正性的抗蚀剂膜照射具有i线～g线的波长范围的曝光光。

12.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

隔着利用权利要求1～10中的任意一项所记载的制造方法制成的光掩模，向所述正性的抗蚀剂膜照射具有i线～g线的波长范围的曝光光来转印所述转印用图案，从而在所述被加工体上形成所述抗蚀剂图案；以及

通过将所述抗蚀剂图案用作掩模的蚀刻，在所述被加工体上形成线宽W_L、间隙宽度W_S的线与间隙的所述膜图案。

13.一种显示装置的制造方法，其特征在于，

使用具有线宽M_L、间隙宽度M_S、间距宽度P的线与间隙的转印用图案的光掩模，形成线宽R_L、间隙宽度R_S、间距宽度P的线与间隙的抗蚀剂图案，并进行将所述抗蚀剂图案作为掩模的蚀刻，由此在被加工体上形成线与间隙图案，其中_L＞M_L、R_S＜M_S。