[发明专利]咔唑类化合物和包括该咔唑类化合物的有机发光二极管有效
申请号: | 201210077815.0 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102911159B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 李善英;郭允铉;朴范雨;申大烨;李宽熙;郑惠仁;高三一;朴美花 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C07D401/12 | 分类号: | C07D401/12;C07D401/14;C07D403/12;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 咔唑类 化合物 包括 有机 发光二极管 | ||
1.一种咔唑类化合物,所述咔唑类化合物为结构2、3、8、14、15、16、20、31和33中的一个:
2.一种有机发光二极管,包括:第一电极;与所述第一电极相对设置的第二电极;以及插入所述第一电极和所述第二电极之间的有机层,其中所述有机层包括权利要求1所述的咔唑类化合物。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管,其中所述有机层包括空穴注入层、空穴传输层、具有空穴注入和空穴传输能力的层、缓冲层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或具有电子注入和电子传输能力的层中的至少一层。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管,其中所述有机层包括所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层以及所述发光层,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层以及所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层包括所述咔唑类化合物。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层进一步包括相比所述咔唑类化合物具有更高空穴迁移率和更高导电率的双极性化合物。
6.如权利要求4所述的有机发光二极管,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层进一步包括电荷产生材料。
7.如权利要求4所述的有机发光二极管,其中在所述空穴注入层、所述空穴传输层或所述具有空穴注入和空穴传输能力的层中的至少一层与发光层之间插入缓冲层。
8.如权利要求4所述的有机发光二极管,其中所述发光层包括磷光掺杂剂。
9.如权利要求3所述的有机发光二极管,其中所述有机层包括含所述咔唑类化合物的电子传输层。
10.如权利要求3所述的有机发光二极管,其中所述有机层包括电子传输层,所述电子传输层包括电子传输有机化合物和含金属材料。
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