[发明专利]通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法

权利要求书

1.一种通过可移除侧墙集成工艺增强应力记忆效应的方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：

首先，在具有浅沟槽、栅极结构和轻掺杂漏/源区的硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一无定形碳层，刻蚀除去多余的无定形碳层形成栅极侧墙；

其次，在硅衬底表面、栅极及栅极侧墙表面淀积一氮化硅薄膜层，并对氮化硅薄膜层下的整个硅衬底进行漏/源粒子的注入；

接着，除去氮化硅薄膜层和侧墙，在硅衬底表面及栅极表面、侧壁上淀积一应力氮化硅层，对整个器件进行退火处理；

最后，除去应力氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法或湿法除去氮化硅薄膜层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用灰化工艺除去侧墙。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理采用快速热退火或激光脉冲退火。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀处理。