[发明专利]乐器用振动传感器及拾音鞍有效

专利信息
申请号: 201210077409.4 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN102693717A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 松冈润弥;服部敦夫 申请(专利权)人: 雅马哈株式会社
主分类号: G10H3/14 分类号: G10H3/14;G10H3/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 乐器 振动 传感器 拾音鞍
【权利要求书】:

1.一种乐器用振动传感器,其具备:

基板;

第一电极膜,其与所述基板叠合;

压电膜,其与所述第一电极膜叠合;

第二电极膜,其与所述压电膜叠合;

绝缘膜,其与所述第二电极膜叠合;

屏蔽膜,其与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合,由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。

2.如权利要求1所述的乐器用振动传感器,其中,

所述压电膜的端面是倾斜的,并使得所述压电膜的截面形状朝向所述基板方向扩展。

3.如权利要求2所述的乐器用振动传感器,其中,

所述第一电极膜的端面的至少一部分位于比所述压电膜的倾斜的端面更内侧的位置,

所述第二电极膜沿所述压电膜的倾斜的端面到达所述基板。

4.如权利要求1~3中任一项所述的乐器用振动传感器,其中,

所述基板由陶瓷构成。

5.如权利要求1~3中任一项所述的乐器用振动传感器,其中,

所述基板由Si或Si化合物构成。

6.一种拾音鞍,其具备:

鞍,其支承弦;

乐器用振动传感器,其固定于所述鞍上,具备基板、与所述基板叠合的第一电极膜、与所述第一电极膜叠合的压电膜、与所述压电膜叠合的第二电极膜、与所述第二电极膜叠合的绝缘膜、与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合的屏蔽膜,所述屏蔽膜由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。

7.如权利要求6所述的拾音鞍,其中,

在所述鞍上以弯曲的状态固定有所述乐器用振动传感器。

8.如权利要求6所述的拾音鞍,其中,具备:

传感器收纳部,其形成于所述鞍上,收纳所述乐器用振动传感器;

填充材料,其将所述传感器收纳部中除所述乐器用振动传感器之外的区域填埋。

9.如权利要求8所述的拾音鞍,其中,

所述乐器用振动传感器以所述基板弯曲的状态收纳于所述传感器收纳部。

10.如权利要求8所述的拾音鞍,其中,

所述乐器用振动传感器被固定于所述传感器收纳部的任一面。

11.一种乐器,其具备权利要求6~10中任一项所述的拾音鞍。

12.一种乐器用振动传感器的制造方法,其具备:

准备基板的工序;

通过薄膜形成法在所述基板上形成第一电极膜的工序;

通过薄膜形成法,在所述第一电极膜上且除所述第一电极膜的端部之外形成压电膜的工序;

通过薄膜形成法在所述压电膜上形成第二电极膜的工序;

通过薄膜形成法在所述第二电极膜上形成绝缘膜的工序;

通过薄膜形成法在所述绝缘膜上及所述第一电极膜的端部上形成由导电性材料构成的屏蔽膜的工序。

13.一种拾音鞍的制造方法,其具备:

利用下述工序形成乐器用振动传感器的工序,所述工序包括,准备基板的工序、通过薄膜形成法在所述基板上形成第一电极膜的工序、通过薄膜形成法在所述第一电极膜上且除所述第一电极膜的端部之外形成压电膜的工序、通过薄膜形成法在所述压电膜上形成第二电极膜的工序、通过薄膜形成法在所述第二电极膜上形成绝缘膜的工序、通过薄膜形成法在所述绝缘膜上及所述第一电极膜的端部上形成由导电性材料构成的屏蔽膜的工序;

在拾音鞍主体中形成中空的传感器收纳部的工序;

将所述乐器用振动传感器收纳于所述传感器收纳部的工序;

用树脂对收纳有所述乐器用振动传感器的所述传感器收纳部的间隙进行填充的工序。

14.如权利要求13所述的拾音鞍的制造方法,其中,

在将所述乐器用振动传感器收纳于所述传感器收纳部的工序中,所述乐器用振动传感器沿所述鞍主体的上面的形状弯曲并收纳于所述传感器收纳部。

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