[发明专利]一种自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法

权利要求书

1.一种自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

搅拌下将高锰酸钾的去离子水溶液逐滴加入到辛烷基苯酚聚氧乙烯醚的去离子水溶液中，常温反应后离心分离，倒出上清液，分别用去离子水和无水乙醇洗涤固体产物3～6次，恒温干燥后得到纳米级无定型二氧化锰。

2.根据权利要求1所述的自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：所述的高锰酸钾的去离子水溶液的浓度为0.01～2.0mol·dm^-3。

3.根据权利要求1所述的自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：所述的辛烷基苯酚聚氧乙烯醚的去离子水溶液的浓度为0.01～2.0mol·dm^-3。

4.根据权利要求1所述的自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：所述的辛烷基苯酚聚氧乙烯醚的去离子水溶液与高锰酸钾的去离子水溶液的体积比为10∶1～1∶10。

5.根据权利要求1所述的自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：所述的常温反应时间为0.5～48h。

6.根据权利要求1所述的自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：所述的恒温的温度为60～100℃。

7.根据权利要求1所述的自牺牲模板制备纳米级无定型二氧化锰的方法，其特征在于：所述的干燥时间为1～48h。