[发明专利]压电振动片、具有压电振动片的压电装置及压电装置的制造方法有效
| 申请号: | 201210076519.9 | 申请日: | 2012-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN102769443A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
| 发明(设计)人: | 水泽周一 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H3/02;H03H9/19 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李家浩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 压电 振动 具有 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及能够以晶片状态制造多个压电振动片的压电振动片、具有压电振动片的压电装置及压电装置的制造方法。
背景技术
以往已知有如下技术,在将压电振动片放置于陶瓷包装件之后,通过使压电振动片的励振电极的厚度变薄来调整压电振动片的频率。但是,若利用具有与励振电极相同形状的开口部的掩膜而使压电振动片的励振电极的厚度变薄,则励振电极的外周变得比中央部厚并在外周形成阶梯部。由此,产生不必要的振动,导致振动特性的劣化。
在专利文献1(日本特开2002-299982号公报)所公开的压电装置中,为了解决上述问题,将被削薄的一方的励振电极形成得比另一方的励振电极大,并使用具有比一方的励振电极小、比另一方的励振电极大的开口部的掩膜,使一方的励振电极变薄。由此,被削薄的一方的励振电极的与另一方的励振电极对应的区域形成为均匀的厚度。
但是,就专利文献1的压电装置而言,由于掩膜的开口部形成得比一方的励振电极小,因此在从振动区域的励振电极引出的引出电极上形成阶梯部。因此,因引出电极的阶梯部而形成边界条件,从而产生不需要的振动,导致振动特性的劣化。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供振动区域的励振电极及引出电极以均匀的厚度形成且能够防止不需要的振动的产生以及振动特性的劣化的压电振动片。
第一观点的压电振动片,具备:振动部,其在中央区域形成有第一厚度的励振电极;外框部,其包围振动部并与振动部隔着空隙而形成;连结部,其连结振动部与外框部;以及引出电极,其从励振电极引出且形成于振动部、连结部及外框部。并且,引出电极在整个振动部具有第一厚度且在外框部具有比第一厚度厚的第二厚度。
在第二观点的压电振动片中,引出电极在连结部的至少一部分为第一厚度。
在第三观点的压电振动片中,引出电极在外框部的至少一部分为第一厚度。
在第四观点的压电振动片中,第一厚度的励振电极形成于振动部的一侧的单面,在振动部的另一侧的单面形成有与第一厚度的励振电极对应的第二厚度的励振电极。
在第五观点的压电振动片中,压电振动片为台面型、龙门台面型、反台面型、龙门反台面型中的任意一个。
第六观点的压电装置具备第一观点至第五观点中的任一项的压电振动片。再有,压电装置具备:第一板,其接合在外框部的一侧的单面;以及第二板,其接合在外框部的另一侧的单面。
第七观点的压电装置的制造方法,具备:准备压电晶片的工序,该压电晶片具有多个压电振动片,该压电振动片包括振动部、包围振动部并与振动部隔着空隙而形成的外框部、以及连结振动部与外框部的连结部;电极形成工序,在振动部的中央区域形成励振电极且在振动部、连结部及外框部形成从励振电极引出的引出电极;测定工序,对每个压电振动片的振动频率进行测定;以及使电极变薄的工序,使励振电极及振动部的引出电极的所有电极厚度变薄的工序。
在第八观点的压电装置的制造方法中,使电极变薄的工序使连结部的引出电极的至少一部分的电极变薄。
在第九观点的压电装置的制造方法中,使电极变薄的工序包含在励振电极及引出电极照射离子的离子束铣,照射离子的掩膜开口的一部分与连结部重合。
在第十观点的压电装置的制造方法中,在准备压电晶片的工程以及电极形成工序中,振动部以及励振电极形成为比规定频率低。
本发明的效果如下。
根据本发明,能够得到振动区域的励振电极以及引出电极以相同的厚度形成且能够防止不需要的振动的产生及振动特性的劣化的压电振动片。
附图说明
图1是水晶振子100的分解立体图。
图2(a)是从+Y’轴侧观察了水晶振动片10的俯视图。
图2(b)是从+Y’轴侧观察了水晶振动片10的透明图。
图2(c)是从+Z’轴侧观察了水晶振动片10的侧视图。
图3(a)是从+Y’轴侧观察了底部12的俯视图。
图3(b)是从+Y’轴侧观察了底部12的透明图。
图4是图1的A-A剖视图。
图5是表示制造水晶振子100的流程图。
图6是从+Y’轴侧观察了水晶晶片10W的俯视图。
图7是从+Y’轴侧观察了水晶晶片10W的透明图。
图8是从-Y’轴侧观察了盖部晶片11W的俯视图。
图9是从+Y’轴侧观察了底部晶片12W的俯视图。
图10是从+Y’轴侧观察了底部晶片12W的透明图。
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