[发明专利]存储器元件的增进擦除并且避免过度擦除的方法无效
| 申请号： | 201210076518.4 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102623060A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘振钦;潘正圣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 增进 擦除 并且 避免 过度 方法 | ||
1.一种存储器元件的增进擦除的方法，且该存储器元件包括一具有定域化捕捉电荷的存储器元件结构，其特征在于，该方法包括：
提供一存储器元件，且该存储器元件具有一特定的阈值电压值；
于进行一程序化/擦除周期之前，执行一程序，以增加该存储器元件的该特定的阈值电压值；以及
进行该程序化/擦除周期，该程序化/擦除周期包括程序化周期、擦除周期与程序化的过程中的一个或多个，其中该程序化的过程包括在写入进行之后会进行读取。
2.根据权利要求1所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该程序化/擦除周期包括通过沟道热电子注入程序化该具有定域化捕捉电荷的存储器元件。
3.根权利要求1所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该程序化/擦除周期包括通过漏极热空穴注入擦除该具有定域化捕捉电荷的存储器元件。
4.根据权利要求1所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该存储器元件为一氮化物只读存储器元件。
5.根据权利要求4所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该程序为一穿隧程序，且该穿隧程序为一Fowler-Nordheim穿隧程序。
6.根据权利要求5所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该程序化/擦除周期包括通过沟道热电子注入程序化该存储器元件。
7.根据权利要求5所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该程序化/擦除周期包括通过漏极热空穴注入擦除该存储器元件。
8.根据权利要求1所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该存储器元件具有一漏极感应能量势垒降低的特性，且在该程序化/擦除周期中，该漏极感应能量势垒降低不会被诱导。
9.根据权利要求1所述的存储器元件的增进擦除的方法，其特征在于，该存储器元件包括一氮化物电荷捕捉层。
10.一种避免过度擦除的方法，其特征在于，包括：
提供一氮化硅只读存储器元件，且该氮化硅只读存储器元件具有一特定的阈值电压值；
进行一穿隧程序，以在进行一程序化/擦除周期前，增加该氮化硅只读存储器元件的该特定的阈值电压值；以及
进行该程序化/擦除周期，该程序化/擦除周期包括程序化周期、擦除周期与程序化的过程中的一个或多个，其中该程序化的过程包括在写入进行之后会进行读取。
11.根据权利要求10所述的避免氮化硅只读存储器过度擦除的方法，其特征在于，该程序化/擦除周期包括通过沟道热电子注入程序化该氮化硅只读存储器元件。
12.根据权利要求10所述的避免氮化硅只读存储器过度擦除的方法，其特征在于，该程序化/擦除周期包括通过漏极热空穴注入擦除该氮化硅只读存储器元件。
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