[发明专利]LED封装结构及其封装工艺无效
| 申请号： | 201210076369.1 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102800765A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李漫铁;王绍芳;孟牧;冯珍 | 申请（专利权）人： | 深圳雷曼光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 封装 结构 及其 工艺 | ||
1.一种LED封装工艺，其特征在于：它包括步骤，
A)、在LED发光二极管芯片的晶片电极上焊接第一金属球，所述第一金属球覆盖不超出晶片电极的区域；
B)、将金属导线一端焊接在晶片电极区域的第一金属球上，而后对另一端进行电弧高温烧熔，形成第二金属球并焊接在基材上。
2.如权利要求1所述的LED封装工艺，其特征在于：所述步骤B后还包括步骤，
C)、在金属导线另一端的第二金属球上形成用于承接转换和保护的线颈。
3.如权利要求1或2所述的LED封装工艺，其特征在于：所述步骤A，通过0.03-0.1千克压力，在100-250摄氏度下通过超声波将第一金属球焊接至晶片电极上。
4.如权利要求3所述的LED封装工艺，其特征在于：所述超声波的功率为30-150mW。
5.一种LED封装结构，它包括晶片电极、金属导线及基材，其特征在于：它还包括第一金属球、第二金属球及线颈；所述第一金属球覆盖于晶片电极表面，所述第二金属球在基材上；所述金属导线两端分别与第一金属球、第二金属球相焊接，于金属导线第二金属球上形成有线颈。
6.如权利要求5所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一金属球覆盖晶片电极表面50％-100％的区域。
7.如权利要求5或6所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一金属球的厚度为金属导线直径的0.5-1.5倍。
8.如权利要求5所述的LED封装结构，其特征在于：所述第二金属球的厚度为金属导线直径的0.25-1倍。
9.如权利要求5所述的LED封装结构，其特征在于：所述线颈直径大于1.2倍金属导线直径，小于0.5倍第二金属球直径。
10.如权利要求5或9所述的LED封装结构，其特征在于：所述线颈高度不小于1.3倍金属导线直径。
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