[发明专利]一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法

权利要求书

1.一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。

2.根据权利要求1所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述碳基材料采用石墨烯或碳纳米管。

3.根据权利要求1所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，是采用蒸发的方法在碳基材料的表面蒸发厚度在3～100nm之间的掩膜金属层。

4.根据权利要求1所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述掩膜金属层采用金属镍、铝、铜、铬或钛。

5.根据权利要求1所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述源漏电极均采用金属钛和金、铬和金、钯和金、镍和金或者铂和金。

6.根据权利要求1所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述在碳基材料的表面形成一掩膜金属层之后，还包括：

在掩膜金属层上涂敷一层光刻胶或电子束胶，该光刻胶为AZ5214，该电子束胶为PMMA、ZEP、UV3或PMGI。

7.根据权利要求6所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，包括：

利用电子束蒸发钛和金、铬和金、钯和金、镍和金或者铂和金叠层作为源漏电极，其中第一层金属的厚度为5～50nm，第二层金属的厚度为50～200nm；然后将样品放入丙酮溶液中，去除源漏区域以外的金属和光刻胶。

8.根据权利要求1所述的减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，所述去除沟道区上的掩膜金属层，是采用选择性腐蚀的方法实现的，掩膜金属镍的腐蚀采用的腐蚀液为体积比为1∶3的盐酸，铜的腐蚀采用三氯化铁溶液，铝的腐蚀采用稀盐酸溶液，钛的腐蚀采用体积比为1∶30∶69的氢氟酸∶硫酸∶水溶液，铬的腐蚀采用体积比为3∶1的盐酸，且该腐蚀液不会腐蚀源漏金属。