[发明专利]生产液晶聚酯组合物的方法

说明书

技术领域

本发明涉及生产液晶聚酯组合物的方法。

背景技术

具有10⁴-10¹²Ωm的比容电阻率(specific volume resistance)值的半导体树脂已经被用作成像装置如电子照相复印机和静电存储设备中的装料辊，装料带和卸料带；和用于传输半导体组件的容器的材料；这利用了如抗静电性和粉尘吸附抑制性能等功能。

赋予具有电绝缘性能的树脂半导电性的方法的实例包括混合树脂与导电物质如金属，碳纤维和炭黑的方法。必需的是混合大量的导电物质以便赋予半导电性。

另一方面，液晶聚酯已经引起作为具有极好的低吸湿性，耐热性和机械强度的材料的注意。因此，液晶聚酯已经被广泛用于各种应用中，例如电子精密组件如连接器，薄膜和纤维，并且已经进行各种研究。有时期望以高实用性将半导电性赋予这样的液晶聚酯。

然而，存在这样的问题，当试图通过常规方法将半导电性赋予液晶聚酯时，混合大量导电物质引起液晶聚酯的初始的机械强度和模塑性能的退化。还存在这样的问题，当导电物质具有不足的分散性时，所获得的液晶聚酯组合物很少会显示出半导电性。

相比之下，公开了这样的技术，其中将少量的导电的纳米结构化的中空碳材料添加到液晶聚酯(参见JP-A-2010-7067(相当于美国专利申请公开号2009-0294729))。

发明内容

然而，迄今还未知的是含液晶聚酯和纳米结构化的中空碳材料的常规的液晶聚酯组合物，其机械强度极好并且具有半导电性。

考虑到上述的情况，已经实现本发明并且其目标将是提供一种用于生产液晶聚酯组合物的方法，该液晶聚酯组合物的机械强度极好并且具有半导电性。

为解决上述问题，本发明提供了一种生产液晶聚酯组合物的方法，所述液晶聚酯组合物包括液晶聚酯和纳米结构化的中空碳材料，其满足以下要求(A)，该方法包括以下步骤：在1,000-9,000/秒的剪切速率下，熔融-捏合数量为85-99质量份的液晶聚酯和数量为1-15质量份的纳米结构化的中空碳材料，基于总计100质量份的液晶聚酯和纳米结构化的中空碳材料：(A)纳米结构化的中空碳材料包括碳部分和中空部分，并且具有这样的结构，即部分或全部的中空部分被碳部分围绕。

根据本发明，有可能提供生产机械强度极好的且具有半导电性的液晶聚酯组合物的方法。

具体实施方式

在本发明中的液晶聚酯是这样的液晶聚酯，其在熔融状态显示出介晶性(mesomorphism)并且优选地在等于或低于450℃的温度下熔融。液晶聚酯也可是液晶聚酯酰胺，液晶聚酯醚，液晶聚酯碳酸酯，或液晶聚酯酰亚胺。液晶聚酯优选地是全部芳族液晶聚酯，其中仅仅芳族化合物用作原料单体。

液晶聚酯的典型实例包括(I)通过聚合(缩聚)芳族羟基羧酸，芳族二羧酸，和至少一种选自芳族二醇、芳族羟基胺和芳族二胺的化合物获得的液晶聚酯；(II)通过聚合多种类型芳族羟基羧酸获得的液晶聚酯；(III)通过聚合芳族二羧酸与至少一种选自芳族二醇、芳族羟基胺和芳族二胺的化合物获得的液晶聚酯；和(IV)通过聚合聚酯如聚对苯二甲酸乙二醇酯与芳族羟基羧酸获得的液晶聚酯。在本文中，部分或全部的芳族羟基羧酸，芳族二羧酸，芳族二醇，芳族羟基胺和芳族二胺可以被分别独立地改变为其可聚合的衍生物。

具有羧基的化合物如芳族羟基羧酸和芳族二羧酸的可聚合的衍生物的实例包括衍生物(酯)，其中羧基被转化成烷氧基羰基或芳氧基羰基；衍生物(酰基卤)，其中羧基被转化成卤代甲酰基，和衍生物(酸酐)，其中羧基被转化成酰氧基羰基。

具有羟基的化合物如芳族羟基羧酸，芳族二醇和芳族羟胺的可聚合的衍生物的实例包括衍生物(酰化产物)，其中通过酰化，羟基被转化成酰氧基。

具有氨基的化合物如芳族羟基胺和芳族二胺的可聚合的衍生物的实例包括衍生物(酰化产物)，其中通过酰化氨基被转化成酰胺基。