[发明专利]一种一维单晶刚性分子印迹ZnO电极的制备方法

权利要求书

1.一种一维单晶刚性分子印迹ZnO电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)将纯金属钛片表面用金相砂纸进行打磨抛光，在含有0.05～1.0wt％的NH₄F，1.6～2.0wt％的Na₂SO₄以及10～50wt％分子量为400的聚乙二醇的溶液中以钛片为工作电极，铂片为对电极，进行电化学阳极氧化处理，将制备得到的电极在管式炉中采用程序升温进行热处理，即按1～5℃/min的升温速率升至450～550℃热处理3～5h；

(2)用匀胶机将1～5mmol/L Zn(CH₃COO)₂的乙醇溶液旋涂于经步骤(1)阳极氧化预处理得到的钛片上，然后置于马弗炉中，在空气气氛下，以300℃～350℃热解0.5h～1h，获得致密且均匀分布的ZnO晶种层；

(3)将等摩尔的Zn(NO₃)₂及(CH₂)₆N₄溶解在去离子水中，得到Zn²⁺浓度为0.02～0.04mol L^-1的前驱体溶液，然后，将步骤(2)处理得到的基体电极浸入前驱体溶液中，正面朝下放置于特氟龙内衬的不锈钢高压反应釜中，于90℃反应5h，取出电极，用去离子水冲洗，去除表面残留物，即制备得到一维单晶刚性分子印迹ZnO电极。

2.根据权利要求1所述的一种一维单晶刚性分子印迹ZnO电极的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的前驱体溶液中还可以加入1.00～2.00mmol/L的模板物质，对制备得到的电极采用乙醇溶液萃取进行模板物质，并经去离子水洗涤，重复3～5次即制备得到具有目标物质分子印迹识别位点的ZnO电极。

3.根据权利要求2所述的一种一维单晶刚性分子印迹ZnO电极的制备方法，其特征在于，所述的模板物质包括苯酚、对羟基苯甲酸、双酚A、2，4-二羟基苯甲酸、氧乐果或马拉硫磷。