[发明专利]电荷分享型像素结构有效
申请号: | 201210074454.4 | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN102591083A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 罗时勋;施明宏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 分享 像素 结构 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种像素结构,特别是有关于一种电荷分享型像素结构。
【背景技术】
薄膜晶体管液晶显示器(Thin-Film Transistor LCD)是液晶显示器中的一种。由于具有高分辨率、低功耗、轻量化以及尺寸多样化等优点,薄膜晶体管液晶显示器现已广泛应用于液晶显示器领域。
大尺寸的薄膜晶体管液晶显示器具有明显的视角问题,即使用者以不同角度观看时,画面会产生亮度与对比度的差异。现今为了改善薄膜晶体管液晶显示器的可视角度的问题,业者提出了多样的广视角技术,例如多域垂直配向技术(Multi-domain Vertical Alignment,MVA),其可有效提升显示器的可视角度。然而像是MVA技术虽能改善视角,但在斜视角部分有着色偏(color washout)问题有待解决。
为了使斜视角与正视角的颜色能更一致,遂有业者提出一种称作电荷分享型的像素结构(charge-share pixel)。如图1所示,一种电荷分享型像素结构9主要是将一像素分割为第一子像素90与第二子像素91两部份,其中所述第一子像素90包括一连接至第一栅极线(Gn)的第一薄膜晶体管(TFT1),所述第二子像素91包括一连接至第一栅极线(Gn)的第二薄膜晶体TFT2及一连接至所述第二薄膜晶体(TFT2)与第二栅极线(Gn+1)的分压薄膜晶体管(TFTS)。当所述第一薄膜晶体管(TFT1)与第二薄膜晶体管(TFT2)通过所述第一栅极线(Gn)而同时被开启时,所述第一子像素90的液晶电容Clc1与所述第二子像素91的液晶电容Clc2具有相同的灰阶电压;随后分压薄膜晶体管(TFTS)通过第二栅极线(Gn+1)被开启,因为所述第一子像素90的液晶电容Clc1与其他分压电容Ca,Cb之间的电荷分享,使得所述第一子像素90的液晶电容Clc1具有不同于所述第二子像素91的液晶电容Clc2的灰阶电压,进而改善斜视角的色偏现象。
然而,上述的电荷分享型像素结构的设计一旦确定了构成所述分压电容与分压薄膜晶体管的光罩图案之后,后续除了修改光罩图案之外,将无法再调整其中的灰阶电压的分配,非常不弹性。
故,有必要提供一种电荷分享型像素结构,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
有鉴于现有技术的缺点,本发明的主要目的在于提供一种电荷分享型像素结构,其于分压的晶体管上加入一顶栅电极,利用调整所述顶栅电极的偏压来调整子像素所获得的偏压,因此可在不需改变光罩设计就可以调整灰阶电压的分配,节省制程成本,又使得针对斜视角色偏问题的调整方式更有弹性。
为达成本发明的前述目的,本发明提供一种电荷分享型像素结构,其包含:
一第一栅极线,提供一第一扫描信号;
一第二栅极线,提供一第二扫描信号;
一资料线,提供一资料信号;
一第一子像素,包括:
一第一晶体管,连接所述第一栅极线及所述资料线,并于接收来自所述第一栅极线的第一扫描信号时开启;及
一第一液晶电容,连接所述第一晶体管,并于所述第一晶体管开启时,接收来自所述资料线的资料信号而偏压至一第一灰阶电压;以及
一第二子像素,包括:
一第二晶体管,连接所述第一栅极线及所述资料线,并于接收来自所述第一栅极线的第一扫描信号时开启;
一第二液晶电容,连接所述第二晶体管,并于所述第二晶体管开启时,接收来自所述资料线的资料信号而而偏压至一第二灰阶电压;
一第三晶体管,连接一第一分压电容及所述第二栅极线,并于接收来自所述第二栅极线的第二扫描信号时开启;所述第三晶体管开启时,所述第一子像素的第一液晶电容通过与所述第一分压电容之间的电荷分享而改变其第一灰阶电压;以及
一顶栅电极,设于与所述第三晶体管部分重叠的区域,所述顶栅电极根据一偏压信号而改变所述第三晶体管的临界电压,进而调整所述第一液晶电容的第一灰阶电压的改变程度。
在本发明的一实施例中,所述第二子像素另包括一连接所述第三晶体管的第二分压电容,所述第二分压电容与所述第一分压电容及第一液晶电容进行电荷分享。
在本发明的一实施例中,进一步包括一第一像素电极、一第二像素电极及一共通信号线,其中所述第一像素电极连接所述第一晶体管的漏极;所述第二像素电极连接所述第二晶体管的漏极;所述共通信号线与第一像素电极构成一第一储存电容,且与所述第二像素电极构成一第二储存电容。
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