[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：透明基板，在该透明基板上设置有横纵交叉的栅线和数据线，在所述栅线和数据线所限定的像素单元中设置有薄膜晶体管和像素电极；其中，所述薄膜晶体管的栅极与栅线相连，源极与数据线相连，漏极与像素电极相连；其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极在所述漏极正对区域的厚度比在该薄膜晶体管的沟道正对区域的厚度小。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极在所述源极正对区域的厚度比在该薄膜晶体管的沟道正对区域的厚度小。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极厚度相等。

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，从俯视的角度，所述薄膜晶体管的源极形状为弧形，所述薄膜晶体管的漏极的一端处于弧形源极的向心侧。

5.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，从俯视的角度，所述薄膜晶体管的源极、漏极的形状均为矩形。

6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：公共电极线；所述公共电极线与所述数据线同层设置，且两者之间电绝缘。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与所述数据线平行。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述公共电极线的下面形成有源层部分图案，且所述有源层部分图案完全支撑起所述公共电极线。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明基板上制作栅金属薄膜，通过构图工艺将所述栅金属薄膜图案化形成栅金属层；所述栅金属层包括：栅线，以及漏极正对区域比沟道正对区域厚度小的栅极；

在形成有栅金属层的透明基板上形成栅绝缘层、有源层、源漏金属层和公共电极、保护层以及像素电极层；其中，所述公共电极与所述源漏金属层同层制作。

10.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源层、源漏金属层的过程具体为：

在形成有栅绝缘层的透明基板上制作半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过一次掩膜构图工艺将所述半导体薄膜和源漏金属薄膜图案化形成有源层和源漏金属层；所述源漏金属层包括：数据线、薄膜晶体管的源极和漏极、以及公共电极线；其中，公共电极线与数据线无电连接。