[发明专利]一种通透二氧化钛纳米管薄膜的制备及应用

权利要求书

1.一种通透二氧化钛纳米管薄膜的应用，其特征在于：将通透二氧化钛纳米管薄膜经过温度 为450-500℃退火工艺处理，薄膜退火升温速率为1℃/min，保温3h，然后应用在光响应人 工离子通道中，对紫外光表现出响应性；所述的通透二氧化钛纳米管薄膜通过如下方法制备 得到：

第一步，一次阳极氧化：

将清洗并干燥后的钛片在有机含氟电解液A中进行一次阳极氧化，得到二氧化钛纳米管 阵列；所述的有机含氟电解液A的组分为0.25g NH₄F、2ml H₂O和100ml乙二醇；一次阳 极氧化以铂片为阴极，钛片为阳极，阳极氧化条件为20～30℃恒温水浴槽中，电压40～60V， 时间1小时；

第二步，二次阳极氧化：

将一次阳极氧化后的钛片依次在HCl和去离子水中超声清洗、干燥；放入有机含氟电解 液A中进行二次阳极氧化，得到二氧化钛纳米管薄膜；二次阳极氧化条件为在20～30℃恒温 水浴槽中，时间5h，电压为60V；所述HCl浓度为0.5～2M；

第三步，低温退火：

将二次阳极氧化后的二氧化钛纳米管薄膜进行低温退火处理，低温退火工艺条件为100～ 300℃低温退火保持3h；

第四步，高压阳极氧化：

将低温退火后的钛片清洗后放入有机含氟电解液B中，通过高压阳极氧化，二氧化钛纳 米管阵列从钛基底表面剥离，得到两端通透、形貌规整的二氧化钛纳米管自支撑薄膜；所述 的有机含氟电解液B组分为0.56g NH₄F、0.5ml H₂O和100ml乙二醇；高压阳极氧化电压至 少大于二次阳极氧化电压40V；所述的高压阳极氧化的条件为100～140V，25～30℃恒温 0.5-3min。