[发明专利]TFT基板及其制备方法、液晶显示装置、及电子纸显示装置无效
| 申请号： | 201210074046.9 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102655148A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 盖翠丽;张卓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 及其 制备 方法 液晶 显示装置 电子 | ||
1.一种TFT基板，包括：有源像素区域以及布线区域，其特征在于，所述布线区域内形成有导电电极，所述导电电极接地。
2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述导电电极形成于部分或全部所述布线区域内没有像素电极图形的区域。
3.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述有源像素区域内形成有像素电极，所述导电电极与所述像素电极在同一层。
4.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述布线区域内包括柔性电路板绑定区，所述柔性电路板绑定区内设置有接地端子，所述导电电极与所述接地端子相连。
5.如权利要求1-4任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述导电电极为氧化铟锡电极。
6.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，该方法在TFT基板的布线区域内形成有导电电极。
7.如权利要求6所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤：
在沉积像素电极层后，通过像素电极掩模板形成像素电极图形，所述像素电极图形形成像素电极，并覆盖部分或全部布线区域，形成导电电极。
8.如权利要求6所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤：
在沉积像素电极层后，通过像素电极掩模板形成像素电极图形，所述像素电极图形形成像素电极；
在部分或全部布线区域内没有像素电极图形的区域沉积一层导电电极。
9.一种液晶显示装置，其特征在于，该装置包括权利要求1-5任一项所述的TFT基板。
10.一种电子纸显示装置，其特征在于，该装置包括权利要求1-5任一项所述的TFT基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
