[发明专利]一种用于高速微弱光电信号探测的全定制芯片设计方法无效

专利信息
申请号: 201210073949.5 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN102638231A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 余金金;陈永平;袁红辉;陈世军;邓若汉 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42;H03F3/08;G01J11/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 高速 微弱 光电 信号 探测 定制 芯片 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种用于高速微弱光电信号探测的全定制芯片设计方法,该芯片由前置的RGC跨阻放大器,MOS_L的带宽展宽结构,改进型的切瑞-霍伯宽带放大器,单端的输出组成,其特征在于该芯片的设计方法步骤如下:

a.光电探测器的结电容大小2pf-5pf和脉冲电流范围100nA-10μA,设计出电流源和电容并联的输入模块;

b.根据采用光电探测器的工作电压反向偏压5v,调节RGC输入端的电压值约为电源电压5v的一半;

c.根据RGC的输出端电压与MOS_L结构后的输出电压值选择Rf为10MΩ实现跨阻反馈,MOS_L结构中通过改变电阻R4的大小,调节范围在1KΩ-1MΩ之间,在保证频幅曲线光滑的前提下选择合适的带宽扩展程度。最后通过调节M4、M5的宽长比,获得1.5-2.5V的直流电平;

d.调节改进型切瑞-霍伯单元放大器内部的电阻R1R2比值与晶体管宽长比,使得输入输出的直流电平相同,此处直流电平尽量接近MOS_L输出电平,单元结构中通过R1、R2的比值调节来提高增益保证带宽;

f.根据输出端将驱动的电容值为10pf以上负载以及单端要求,选用双端转单端的比较器电路模块实现单端输出,并且给出1v以上的电压摆幅。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210073949.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top