[发明专利]一种双极结型晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210073609.2 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102881588A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑志星 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双极结型 晶体管 制作方法 | ||
1. 一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：
在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；
制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及
制作具有第一掺杂类型的发射区；其中
通过调节基区的布局宽度来控制基区深度。
2. 如权利要求1所述的制作方法，其中基区的制作步骤还包括：
在收集区的表面上方制作光阻层；
图案化光阻层以形成具有布局宽度的开口，以及
向开口内注入具有第二掺杂类型的杂质。
3. 如权利要求1所述的制作方法，其中收集区的制作步骤包括：
在半导体衬底上制作具有第一掺杂类型的掩埋层；
在半导体衬底和掩埋层上方制作具有第一掺杂类型的外延层。
4. 如权利要求1所述的制作方法，其中收集区和基区的制作步骤包括：
在半导体衬底上方制作外延层；
在外延层上方制作钝化层；
在钝化层上方放置光阻层；
图案化光阻层以形成具有布局宽度的开口；
通过开口向外延层内注入具有第二掺杂类型的杂质以制作基区；
在开口内形成氧化层；
使用氧化层作为阻挡掩膜来制作具有第一掺杂类型的阱区；以及
在基区下方进行热退火工艺侧边扩散阱区以制作收集区。
5.如权利要求1所述的制作方法，其中收集区和基区的制作步骤包括：
在半导体衬底上方制作外延层；
在外延层上方制作钝化层；
在钝化层上方放置光阻层；
图案化光阻层以形成与基区布局宽度相对应的开口；
通过开口向外延层内注入具有第一掺杂类型的杂质来制作阱区；
在阱区表面上形成阱氧化层；
使用阱氧化层作为阻挡掩膜向半导体衬底内注入具有第二掺杂类型的杂质以制作基区；以及
在基区下方进行热退火工艺侧边扩散阱区以制作收集区。
6. 如权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其中布局宽度的调整与BJT器件的击穿电压正相关，和/或与BJT器件的增益负相关。
7. 一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：
在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；
采用同一掩膜制作具有第二掺杂类型的多个基区，该多个基区具有不同的基区深度；以及
制作具有第一掺杂类型的多个发射区；其中
通过调节多个基区的布局宽度来分别控制该多个基区的基区深度。
8. 如权利要求7所述的制作方法，其中基区的制作步骤还包括：
在相应收集区的表面上方制作光阻层；
图案化光阻层以形成多个具有相应布局宽度的开口，以及
向开口内注入具有第二掺杂类型的杂质。
9. 如权利要求7所述的制作方法，其中收集区和基区的制作步骤包括：
在半导体衬底上方制作外延层；
在外延层上方制作钝化层；
在钝化层上方放置光阻层；
图案化光阻层以形成多个具有相应布局宽度的开口；
通过开口向外延层内注入具有第二掺杂类型的杂质以制作基区；
在开口内形成氧化层；
使用氧化层作为阻挡掩膜来制作具有第一掺杂类型的阱区；以及
在基区下方进行热退火工艺侧边扩散阱区以制作收集区。
10. 如权利要求7所述的制作方法，其中收集区和基区的制作步骤包括：
在半导体衬底上方制作外延层；
在外延层上方制作钝化层；
在钝化层上方放置光阻层；
图案化光阻层以形成多个与基区相应布局宽度相对应的开口；
通过开口向外延层内注入具有第一掺杂类型的杂质来制作阱区；
在阱区表面上形成阱氧化层；
使用阱氧化层作为阻挡掩膜向半导体衬底内注入具有第二掺杂类型的杂质以制作基区；以及
在基区下方进行热退火工艺侧边扩散阱区以制作收集区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
