[发明专利]一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法有效
| 申请号： | 201210073535.2 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103326234A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王娜;李沛旭;夏伟;汤庆敏 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体激光器 过渡 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器过渡热沉，包括基板、金属过渡层和焊料附着层；其特征在于，所述的基板为SiC晶片，该SiC晶片上表面和下表面分别依次蒸镀有钛或铬金属过渡层、金焊料附着层，金焊料附着层的上、下表面分别为A面、B面，A面上制作有绝缘槽。
2.如权利要求1所述的半导体激光器过渡热沉，其特征在于，SiC晶片的厚度为300-500μm，直径为2-3英寸。
3.如权利要求1所述的半导体激光器过渡热沉，其特征在于，所述的钛或铬的金属过渡层的厚度为40-60μm。
4.如权利要求1所述的半导体激光器过渡热沉，其特征在于，所述的金焊料附着层厚度为100-500μm。
5.如权利要求1所述的半导体激光器过渡热沉，其特征在于，所述的绝缘槽宽度为0.5-1mm，绝缘槽间隔为3-5mm。
6.权利要求1～5任一项所述的半导体激光器过渡热沉的制备方法，包括步骤如下：
(1)将SiC晶体切割，得到上下表面平整的SiC晶片，厚度为300-500μm，直径为2-3英寸的；
(2)对步骤(1)所得SiC晶片进行清洗；
(3)将清洗干净的SiC晶片通过蒸镀的方式在上下表面分别蒸镀金属钛或铬作为金属过渡层，厚度为40-60μm；然后在钛或铬金属过渡层上分别蒸镀金作为焊料附着层，厚度为100-500μm；得金属化的SiC晶片，该晶片上、下表面分别为A面、B面；
(4)采用光刻腐蚀或离子刻蚀的方法在步骤(3)所得金属化的SiC晶片A面制作绝缘槽，绝缘槽宽度为0.5-1mm，绝缘槽间隔为3-5mm；
(5)将步骤(4)所得成品分割成单个过渡热沉。
7.如权利要求6所述的半导体激光器过渡热沉的制备方法，其特征在于，步骤(1)中采用单线摇摆切割机切割SiC晶体。
8.如权利要求6所述的半导体激光器过渡热沉的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的对SiC晶片进行清洗，是将SiC晶片在浓度≥70wt％的硫酸中浸泡半小时，使用去离子水将其表面的硫酸冲洗干净并用氮气吹干。
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