[发明专利]快速加热处理系统及其硫化方法

权利要求书

1.一种快速加热处理系统，其特征在于，所述快速加热处理系统包括：

一快速加热处理炉，包括：

一反应室；及

一加热装置，用来产生热能；

一背电极基板，设置在所述反应室内且形成有一前趋物层及一硒物质，所述硒物质形成在所述前趋物层上；及

一遮盖，设置在对应所述背电极基板的所述硒物质的位置上且形成有一固态硫，以使所述固态硫与所述硒物质彼此相对，所述固态硫在吸收所述加热装置所产生的热能后，与所述硒物质及所述前趋物层反应，以形成一光电转换层。

2.如权利要求1所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述遮盖设置在所述背电极基板的上方，以使所述固态硫与所述硒物质上下相对。

3.如权利要求1所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述固态硫正相对于所述硒物质。

4.如权利要求1所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述快速加热处理系统还包括：

一容置壳体，连接于所述遮盖，用来与所述遮盖形成一密闭空间以容置所述背电极基板。

5.如权利要求1所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述遮盖由吸热材质所组成。

6.如权利要求5所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述遮盖由石墨材质所组成。

7.如权利要求1所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述前趋物层由铜、铟与镓物质组成。

8.如权利要求1所述的快速加热处理系统，其特征在于，所述光电转换层为一铜铟镓硒结构，且所述铜铟镓硒结构表面具有一铜铟镓硒硫薄膜。

9.一种用来在一背电极基板上形成一光电转换层的硫化方法，其特征在于，所述背电极基板上形成有一前趋物层，所述硫化方法包括：

分别形成一硒物质及一固态硫在所述前趋物层及一遮盖上；

以所述硒物质及所述固态硫彼此相对的方式将所述背电极基板及所述遮盖设置在一快速加热处理炉内；及

加热所述固态硫以与所述硒物质及所述前趋物层反应以形成所述光电转换层。

10.如权利要求9所述的硫化方法，其特征在于，以所述硒物质及所述固态硫彼此相对的方式将所述背电极基板及所述遮盖设置在所述快速加热处理炉内的步骤包括：

将所述背电极基板设置在所述快速加热处理炉内；及

将所述遮盖设置在对应所述背电极基板的所述硒物质的位置上，以使所述硒物质及所述固态硫彼此相对。

11.如权利要求9所述的硫化方法，其特征在于，以所述硒物质及所述固态硫彼此相对的方式将所述背电极基板及所述遮盖设置在所述快速加热处理炉内的步骤包括：

将所述遮盖设置在对应所述背电极基板的所述硒物质的位置上，以使所述硒物质及所述固态硫彼此相对；及

将所述背电极基板及所述遮盖设置在所述快速加热处理炉内。

12.如权利要求9所述的硫化方法，其特征在于，以所述硒物质及所述固态硫彼此相对的方式将所述背电极基板及所述遮盖设置在所述快速加热处理炉内的步骤包括：

提供一容置壳体；

将所述背电极基板设置在所述容置壳体内；

将所述遮盖设置在对应所述背电极基板的所述硒物质的位置上，以使所述硒物质及所述固态硫彼此相对；

连接所述容置壳体及所述遮盖，以形成一密闭空间容置所述背电极基板；及

传输容置有所述背电极基板的所述容置壳体及所述遮盖至所述快速加热处理炉内。

13.如权利要求9所述的硫化方法，其特征在于，以所述硒物质及所述固态硫彼此相对的方式将所述背电极基板及所述遮盖设置在所述快速加热处理炉内的步骤包括：

提供一容置壳体；

将所述背电极基板设置在所述容置壳体内；

传输容置有所述背电极基板的所述容置壳体至所述快速加热处理炉内；

将所述遮盖设置在对应所述背电极基板的所述硒物质的位置上，以使所述硒物质及所述固态硫彼此相对；及

连接所述容置壳体及所述遮盖，以形成一密闭空间容置所述背电极基板。