[发明专利]一种用于太阳能高温集热管的低辐射膜及其成型工艺无效

专利信息
申请号: 201210072374.5 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN102584034A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 杜勇;李业博;刘希杰 申请(专利权)人: 山东力诺新材料有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36;F24J2/46
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 丁修亭
地址: 251600 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 太阳能 高温 热管 辐射 及其 成型 工艺
【权利要求书】:

1.一种用于太阳能高温集热管的低辐射膜,在玻璃基体上形成,其特征在于其结构为由从内到外依次沉积形成的粘结层、第一电介质层、银膜、阻挡层和第二电介质层组成的五层结构,所述粘结层为Ti层,第一电解质层和第二电解质均为TiNx层,而阻挡层为TiO2层,其中x=0.6~1.6。

2.根据权利要求1所述的用于太阳能高温集热管的低辐射膜,其特征在于,所述Ag膜厚度为13nm~22nm,第二电解质层的厚度为8nm~45nm。

3.根据权利要求2所述的用于太阳能高温集热管的低辐射膜,其特征在于,Ag膜厚度优选为16nm,且相应地第二电解质层的厚度为32nm。

4.根据权利要求2或3所述的用于太阳能高温集热管的低辐射膜,其特征在于,所述第一电解质层的厚度为16nm。

5.根据权利要求1所述的用于太阳能高温集热管的低辐射膜,其特征在于,所述粘结层的厚度为3nm;所述第一电解质层的厚度为8~45nm;所述第二电解质层的厚度为8~45nm;所述阻挡层厚度为5nm。

6.根据权利要求5所述的用于太阳能高温集热管的低辐射膜,其特征在于,所述第一电解质层的厚度为15nm;所述第二电解质层的厚度为32nm。

7.一种太阳能高温集热管低辐射膜的制备方法,其包括对待镀膜玻璃管清洗的步骤和将带镀膜玻璃管置入镀室并定位的步骤,其特征在于,该制备工艺选用的靶材为Ti和Ag,并以惰性气体为工作气体,N2 、O2为反应气体,进而该成型工艺还包括以下步骤:

抽真空:将所述镀室抽真空至预定真空度;

保持溅射压强:以预定流量通入Ar,使工作压强保持在0.95~1.05Pa;

镀制第一层:Ti靶工作,在玻璃基体上镀制一层Ti作为粘结层;

镀制第二层:通过反应气体N2,镀制第一层TiNx电介质层;

镀制第三层:停Ti靶及反应气体N2,启动Ag靶工作,镀制Ag膜;

镀制第四层:停Ag靶,在此启动Ti靶工作,通反应气O2,镀制TiO2阻挡层;

镀制第五层:停反应气O2,开反应气体N2,镀制第二层TiNx电介质层;

取出镀制完毕的玻璃管,进行下一支或组玻璃管的镀制。

8.根据权利要求7所述的太阳能高温集热管低辐射膜的制备方法,其特征在于,所述预定真空度为5×10-4Pa;且当达到预定真空度时,以130sccm的流量通入Ar,以保持溅射压强。

9.根据权利要求7所述的太阳能高温集热管低辐射膜的制备方法,其特征在于,在溅射粘结层时的Ti靶功率为60w,镀制第一层TiNx电介质层的功率选择为80w;镀制Ag膜的功率选择为120w;镀制第二层TiNx电介质层的功率选择为80w;通过时间控制在相应功率条件下溅射出设计厚度。

10.根据权利要求7所述的太阳能高温集热管低辐射膜的制备方法,其特征在于,选用纯度不低于99.999% 的靶材Ti和Ag;纯度不低于99.99% 的溅射气体Ar、N2和O2;靶基距定为10cm。

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