[发明专利]电熔丝、半导体装置以及电熔丝的信息写入方法

权利要求书

1.一种电熔丝，所述电熔丝包括：

丝状体，所述丝状体具有第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，其中，

在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态。

2.根据权利要求1所述的电熔丝，其中，

所述第一导电层是由多晶硅形成的，所述第二导电层是由硅化物形成的。

3.根据权利要求2所述的电熔丝，其中，

所述丝状体的至少三种可辨别的电阻状态包括初始状态、在所述丝状体中生成自对准硅化物电迁移的状态和所述第一导电层发生损坏的状态。

4.根据权利要求1所述的电熔丝，其中，

通过所述丝状体的烧熔条件来改变所述丝状体的电阻状态。

5.根据权利要求4所述的电熔丝，其中，

当进一步烧熔处于所述初始状态之外的第一电阻状态的所述丝状体从而将所述丝状体变为第二电阻状态时，用于辨别所述丝状体的电阻状态的阈值大小也发生变化。

6.根据权利要求1所述的电熔丝，还包括：

阴极，所述阴极设置于在所述丝状体的延伸方向上所述丝状体的一个端部，其中，

用于将所述阴极与外部布线电连接的触点在所述阴极中的连接位置被布置于在如下方向延伸的线上：通过所述丝状体的宽度方向的中心且沿着所述丝状体的延伸方向。

7.根据权利要求6所述的电熔丝，其中，

多个所述触点与所述阴极连接，并且多个所述触点的连接位置被布置于所述线上。

8.根据权利要求6所述的电熔丝，其中，

所述丝状体与所述阴极之间的连接部与所述触点的丝状体侧端部之间的最短距离与所述阴极的边缘宽度相同。

9.根据权利要求6所述的电熔丝，还包括：

阳极，所述阳极设置于在所述丝状体的延伸方向上所述丝状体的另一端部，其中，

用于将所述阳极与外部布线电连接的触点在所述阳极中的连接位置被布置于所述线上。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

电熔丝，所述电熔丝具有丝状体，所述丝状体包括第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态；

写入部，所述写入部对所述电熔丝产生至少三种可辨别的电阻状态；

读取部，所述读取部读取关于所述电熔丝的电阻值的信号；

阈值信号生成部，所述阈值信号生成部生成用于辨别所述电熔丝的电阻状态的阈值信号；以及

辨别部，所述辨别部将通过所述读取部读取的关于所述丝状体的电阻值的信号与在所述阈值信号生成部中生成的阈值信号进行比较，并且辨别出所述电熔丝的电阻状态。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述写入部具有第一烧熔元件和第二烧熔元件，所述第一烧熔元件和所述第二烧熔元件彼此并联并且与所述丝状体相连接。

12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

电熔丝，所述电熔丝具有丝状体，所述丝状体包括第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层；以及

写入部，所述写入部向所述丝状体提供多种电应力，并且独立地改变所述第一导电层和所述第二导电层各自的电阻值。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

所述写入部具有第一烧熔元件和第二烧熔元件，所述第一烧熔元件和所述第二烧熔元件彼此并联并且与所述丝状体相连接。

14.一种电熔丝的信息写入方法，所述方法包括以下步骤：

对电熔丝设定用于产生预定的电阻状态的烧熔条件，所述电熔丝具有丝状体，所述丝状体包括第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态；并且

在设定的所述烧熔条件下使电流流过所述丝状体，从而在所述丝状体中产生所述预定的电阻状态。

15.一种电熔丝的信息写入方法，所述电熔丝具有包括第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层的丝状体，所述方法包括以下步骤：

向所述电熔丝的所述丝状体施加第一电应力来改变所述第二导电层的电阻值，或者向所述丝状体施加大于所述第一电应力的第二电应力来改变所述第一导电层的电阻值。