[发明专利]一种籽晶铺设方法、铸造准单晶硅锭的方法及准单晶硅片有效

专利信息
申请号: 201210071792.2 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN103320853A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 路景刚 申请(专利权)人: 镇江荣德新能源科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06;H01L31/036
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;张彬
地址: 212200 江苏省镇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 籽晶 铺设 方法 铸造 单晶硅
【权利要求书】:

1.一种籽晶铺设方法,用于铸造准单晶硅锭,所述籽晶并列抵靠铺设在坩埚底部,其特征在于,所述籽晶为两块或两块以上;当所述籽晶为两块时,两块所述籽晶的晶向成预定夹角设置,其中一块为偏<100>籽晶,另一块是偏<100>籽晶或晶向为<100>的籽晶;当所述籽晶为两块以上时,至少一对相邻的所述籽晶的晶向成预定夹角设置,其中每对所述成预定夹角设置的籽晶中的一块为偏<100>籽晶,另一块为偏<100>籽晶或晶向为<100>的籽晶;所述偏<100>籽晶的晶向与所述晶向为<100>的籽晶的晶向成1-12°的夹角。

2.如权利要求1所述的籽晶铺设方法,其特征在于,所述预定夹角为2-24°的夹角。

3.如权利要求1所述的籽晶铺设方法,其特征在于,所述籽晶覆盖所述坩埚底部40%及其以上的面积。

4.一种铸造准单晶硅锭的方法,包括在坩埚底部铺设籽晶的步骤,所述籽晶并列抵靠铺设在所述坩埚底部,其特征在于,所述籽晶为两块或两块以上;当所述籽晶为两块时,两块所述籽晶的晶向成预定夹角设置,其中一块为偏<100>籽晶,另一块是偏<100>籽晶或晶向为<100>的籽晶;当所述籽晶为两块以上时,至少一对相邻的所述籽晶的晶向成预定夹角设置,其中每对所述成预定夹角设置的籽晶中的一块为偏<100>籽晶,另一块为偏<100>籽晶或晶向为<100>的籽晶;所述偏<100>籽晶的晶向与所述晶向为<100>的籽晶的晶向成1-12°的夹角。

5.如权利要求4所述的铸造准单晶硅锭的方法,其特征在于,所述预定夹角为2-24°的夹角。

6.如权利要求4所述的铸造准单晶硅锭的方法,其特征在于,所述籽晶覆盖所述坩埚底部40%及其以上的面积。

7.一种准单晶硅片,其特征在于,所述准单晶硅片是按照权利要求4至6中任一项所述的铸造准单晶硅锭的方法制得的准单晶硅锭切割后制得的准单晶硅片。

8.一种太阳电池,其特征在于,包括权利要求7所述的准单晶硅片经制绒后获得的准单晶电池片。

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