[发明专利]一种转移阵列硅纳米线的方法

权利要求书

1. 一种转移阵列硅纳米线的方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤(1).将单晶硅片清洗干净；首先，将单晶硅片放在丙酮中超声20分钟，去除单晶硅片表面的有机杂质；接着放入乙醇中再超声20分钟，去除单晶硅片表面的丙酮；然后放入去离子水中超声20分钟，去除单晶硅片表面的乙醇；最后将单晶硅片放入强氧化性混合液中，去除单晶硅片表面的氧化硅；

所述的强氧化性混合液由浓度为98%的浓硫酸和30wt%的双氧水以4:1的体积比混合组成；

所述的步骤(1)中采用的单晶硅片为100晶面方向，厚度为500μm；

步骤(2).用湿化学腐蚀的方法制备阵列硅纳米线；首先采用无电沉积方法在单晶硅片表面沉积银颗粒催化剂；沉积时的反应溶液为0.01M的硝酸银和4.8M的氢氟酸的混合溶液，沉积时间为30s；然后将表面沉积有银颗粒催化剂的单晶硅片放入腐蚀溶液，腐蚀溶液为0.3M的双氧水和4.8M的氢氟酸的混合溶液，腐蚀时间为10                                               120分钟，最后得到具有阵列硅纳米线的单晶硅片，并将该单晶硅片切割成ab的矩形；

所述的阵列硅纳米线分布在单晶硅片衬底上，且长度在1100μm之间，直径在10200nm之间；

所述的a、b为矩形相邻的两条边，a为0.52㎝，b为14㎝；

步骤(3).将经过切割的矩形状单晶硅片上的阵列硅纳米线，转移到具有粘附性的胶带上；首先，将胶带粘附到单晶硅片表面的阵列硅纳米线上，然后对胶带施加垂直胶带表面的压力，再迅速将胶带与单晶硅片分离，单晶硅片上的垂直硅纳米线被剥离到胶带上，且呈分立分布状态；胶带衬底上的垂直硅纳米线整体均匀，长度在1050μm；

所述的施加于垂直胶带表面的压力为1~100N，可根据单晶硅片衬底上的硅纳米线的长度进行调整；

所述的具有粘附性的胶带为碳导电胶，规格为：基质材料为绝缘无纺布，导电物质为碳粉，厚度0.10.5mm，且胶带的大小与切割后带有阵列硅纳米线的矩形状单晶硅片大小相同。