[发明专利]高热传导性膜状接着剂，该接着剂用组合物，使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高热传导性膜状接着剂用组成物、高热传导性膜状接着剂、使用该高热传导性膜状接着剂的半导体封装件及其制造方法。 

背景技术

近年，电子机器的小型化及高性能化正进展中，其内部所搭载的半导体封装件的高性能化也有进展，半导体封装件内部的半导体组件的处理速度更加高速化。然而，伴随处理速度的高速化，半导体组件表面容易产生热，所产生的热会造成例如半导体组件的运行速度降低或引起电子机器的故障的问题。 

为了排除这些热所致的不良影响，而对半导体封装件的构成构件要求将产生的热排放到封装件外部的热传导性。此外，对接合半导体组件及配线基板之间或者半导体组件彼此之间的晶粒黏着(die attach)材料，要求有高的热传导性，同时有充分的绝缘性、接着信赖性。 

另外，如此的晶粒黏着材料以往大多是以糊状(paste)形态使用，但因伴随半导体封装件的高性能化而要求封装件内部的高密度安装化，所以，为了防止因树脂流动或树脂攀爬等所致的对半导体组件或导线垫(wire pad)等其它构件的污染，近年则增加使用膜状形态(晶粒黏着膜)。 

然而，在将晶粒黏着膜贴合至晶圆(wafer)背面时，或在将设置有晶粒黏着膜的半导体组件予以安装的所谓晶粒黏着步骤中，因为晶圆背面，尤其是搭载半导体组件的配线基板表面不一定为平滑面状态，所以，若所述贴合时或所述搭载时晶粒黏着膜的黏度低，则晶粒黏着膜与被着体之间的密着性降低，有空气被摄入两者的界面的情形。被摄入的空气不仅使晶粒黏着膜在加热硬化后的接着力降低，并且有成 为封装破裂的原因的问题。 

以往，就可作为所谓晶粒黏着膜而使用的材料而言，例如，专利文献1中记载由氢氧化铝与二氧化硅所构成的热传导性填料、及由硅类树脂所构成的热传导构件的薄片。然而，专利文献1所记载的热传导构件的薄片，虽然具有高到某种程度的热传导性，但是与被着体的间的密着性仍有问题。 

此外，专利文献2中记载由含有氧化硅等无机填料的环氧树脂所构成的接着薄片。然而，专利文献2所记载的接着薄片，虽然具有高的热传导性和绝缘性及某种程度的黏着性，但是对被着体的密着性仍不充分。 

另外，专利文献3中记载由含有环氧树脂、硬化剂、硬化促进剂及特定氧化铝粉末的树脂所构成的膜状接着剂。然而，专利文献3所记载的膜状接着剂，虽然具有高的热传导性及绝缘性，但是对被着体的密着性仍不充分。 

[现有技术文献] 

[专利文献] 

[专利文献1]日本特开2009-286809号公报 

[专利文献2]日本特开2008-280436号公报 

[专利文献3]日本特开2007-246861号公报 

发明内容

(发明所欲解决的问题) 

半导体封装件的制造步骤中，在将晶粒黏着膜与形成有半导体组件的晶圆同时切断的所谓切割(dicing)步骤中，也必须使晶粒黏着膜所致的加工刀片的磨耗率小。 

然而，本发明人们发现，若为了提升晶粒黏着膜的热传导性而使用所述专利文献1～3所记载的氢氧化铝等热传导性的无机填充剂时，晶粒黏着膜所致的加工刀片的磨耗率变大，虽然切断步骤(切割步骤)开始后暂时可如预定进行切断，但是晶粒黏着膜的切断量逐渐变不充分，如图1所示，会产生晶粒黏着膜未被完全切断的部分，而造成加工不良。 

此外，本发明人们发现，若为了不产生这种缺陷而提高刀片的交换频率，则生产性会降低，连带使成本上升，另一方面，若使用摩耗量小的刀片，则会使晶圆缺损，而产生碎屑(chipping)等，所以引起产量降低的问题。 

本发明是有鉴于所述先前技术具有的课题所成者，目的是提供一种高热传导性膜状接着剂用组成物、高热传导性膜状接着剂、使用该高热传导性膜状接着剂的半导体封装件及其制造方法，由该高热传导性膜状接着剂用组成物可得到与被着体的密着性优异，加工刀片的磨耗率够小，且硬化后发挥优异热传导性的高热传导性膜状接着剂。 

(用于解决问题的手段)