[发明专利]LED显示装置的亮度调节装置、LED显示系统及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LED显示装置的亮度调节装置、LED显示系统及其制作方法。

背景技术

随着LED(Light Emitting Diode，发光二极管)技术的迅速发展，LED的性能有了很大的提升，其具有寿命长、光效高、无辐射与低功耗的优点。LED的应用越来越广泛，特别是在大型显示装置中，LED的应用非常普遍。

图1是现有技术一种LED显示装置的示意图，其包括：驱动电路和24个LED，所述LED呈4行×6列的阵列排布，驱动电路分别控制每个LED的开关及电流大小等。所述LED发射光，所述光透射过设置在LED前面的LCD面板(图中未示出)。所述驱动电路提供的驱动电流大小决定LED的亮度，且驱动电流越大，对应的LED越亮。

更多关于LED显示装置的技术请参考公开号为US20110006973A1的美国专利申请。

然而，当LED显示装置工作一段时间后，便会导致其中部分或全部LED的亮度发生变化，多是会变得比较暗，从而影响了整体的显示效果。

为了恢复LED显示装置的显示效果，只能去更换其中亮度发生变化的LED。但是对LED的更换比较复杂，且当LED显示装置比较大时，获取亮度发生变化的LED也很困难。

因此，如何简单有效地保证LED显示装置的亮度均匀性和稳定性就成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种LED显示装置的亮度调节装置、LED显示系统及其制作方法，以简单有效地保证LED显示装置的亮度均匀性和稳定性。

为解决上述问题，本发明提供了一种LED显示装置的亮度调节装置，所述LED显示装置包括多组LED和用于为所述LED提供驱动电流的驱动电路，所述亮度调节装置包括：

多个感光器件，分别用于获取每组LED的亮度值；

比较器，用于获取每组LED的亮度值与参考值之间的差值；

控制器，用于根据所述差值控制所述驱动电路的驱动电流，使每组LED的亮度值与所述参考值相对应。

可选地，所述LED显示装置的亮度调节装置还包括：存储器，连接所述控制器，用于存储所述控制器的控制信息。

可选地，所述参考值的取值范围包括：50mcd(毫坎德拉)-2000mcd。

可选地，所述感光器件包括光电二极管(Photo Diode，PD)或光敏电阻(Photo Resistor，PR)。

可选地，所述每组LED包括呈阵列排布的多个LED，所述感光器件位于所述阵列的中心。

可选地，所述每组LED包括呈2×2阵列排布的四个LED。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种包括上述LED显示装置的亮度调节装置和LED显示装置的LED显示系统。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种上述LED显示系统的制作方法，所述LED显示系统包括NMOS晶体管或/和PMOS晶体管，所述感光器件为光电二极管，所述感光器件的第一类型掺杂区和所述NMOS晶体管或PMOS晶体管的沟道区在同一步工艺中形成，所述感光器件的第二类型掺杂区和所述NMOS晶体管或PMOS晶体管的源/漏区在同一步工艺中形成。

可选地，所述感光器件的第一类型掺杂区和所述NMOS晶体管的沟道区在同一步工艺中形成，所述感光器件的第二类型掺杂区和所述NMOS晶体管的源/漏区在同一步工艺中形成，所述感光器件的第一类型掺杂区为光电二极管的P结，所述感光器件的第二类型掺杂区为光电二极管的N结。

可选地，所述感光器件的第一类型掺杂区和所述PMOS晶体管的沟道区在同一步工艺中形成，所述感光器件的第二类型掺杂区和所述PMOS晶体管的源/漏区在同一步工艺中形成，所述感光器件的第一类型掺杂区为光电二极管的N结，所述感光器件的第二类型掺杂区为光电二极管的P结。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1)通过设置感光器件来获得LED显示装置中每组LED的亮度值，进而将获得的每组LED的亮度值与参考值进行比较，根据比较得到的差值去控制LED显示装置中驱动电路的驱动电流，使每组LED的亮度值与所述参考值相对应。当LED显示装置存在一组LED的亮度发生变化的情况时，就可以及时调整各LED的驱动电流以使每组LED的亮度值与所述参考值相对应，从而简单有效地实现了LED显示装置的亮度均匀性和稳定性。