[发明专利]低压参考电路

权利要求书

1.一种参考电路，包括：

第一和第二二极管，每个二极管都具有栅极、掺杂的半导体区域、和位于与其关联的二极管的栅极和掺杂的半导体区域之间的栅极绝缘体层，其中所述栅极绝缘体可操作以允许载流子在与其关联的二极管的掺杂的半导体区域和栅极之间隧穿；以及

偏压电路，其耦合到所述第一和第二二极管，并具有可操作以供应参考电压的输出端。

2.根据权利要求1所述的参考电路，其中所述第一和第二二极管的栅极包括金属。

3.根据权利要求1所述的参考电路，其中所述第一和第二二极管的栅极绝缘体中的每个具有的厚度都小于20埃。

4.根据权利要求1所述的参考电路，进一步包括耦合到所述掺杂的半导体区域的接地端子。

5.根据权利要求1所述的参考电路，其中所述掺杂的半导体区域包括n-型硅。

6.根据权利要求5所述的参考电路，进一步包括在n-型硅中的n+区域，其中所述第一二极管的栅极形成第一二极管的正极，其中所述第二二极管的栅极形成第二二极管的正极，且其中上述正极都耦合到偏压电路。

7.根据权利要求6所述的参考电路，其中所述第一和第二二极管响应于偏压电路改变通过正极的电流的量而被不同偏置。

8.根据权利要求7所述的参考电路，其中所述第一和第二二极管的栅极包括金属。

9.根据权利要求1所述的参考电路，其中所述第一和第二二极管的掺杂的半导体区域包括n阱，且第一和第二二极管的栅极包括金属，且其中所述第一和第二二极管进一步包括在耦合到地的n-阱中的n+区域。

10.一种参考电路，包括：

一对半导体器件，其中每个半导体器件具有阱区域、所述阱区域内的掺杂区域、栅极导体、和位于所述阱区域和栅极导体之间的栅极绝缘体、其中每个半导体器件可操作以允许载流子在与其关联的所述半导体器件的阱区域和栅极导体之间隧穿；以及

电路，其可操作以供应不同的偏置电流到该对半导体器件，并产生相应的参考输出电压。

11.根据权利要求10所述的参考电路，其中所述二极管关联的导通电压小于0.5伏特，且其中所述电路可操作以产生小于1.0伏特的参考输出电压。

12.根据权利要求10所述的参考电路，其中每个半导体器件的阱区域包括n-阱。

13.根据权利要求12所述的参考电路，其中每个半导体器件的掺杂区域包括n-阱中n+掺杂区域。

14.根据权利要求10所述的参考电路，其中每个半导体器件的栅极导体包括金属。

15.根据权利要求14所述的参考电路，其中所述金属的功函数为4.3eV到5.3eV。

16.根据权利要求10所述的参考电路，其中每个半导体器件包括耦合到所述电路的第一端子和耦合到地的第二端子，其中每个半导体器件的第一端子是由所述半导体器件的栅极导体形成的，且其中每个半导体器件的第二端子包括该半导体器件的掺杂区域和阱区域。

17.一种电压参考电路，其包括：

第一半导体器件，其具有n-型半导体区域，所述n-型半导体区域中的至少一个n+区域、金属栅极、和位于所述金属栅极和所述n-型半导体区域之间的栅极绝缘体层，其中所述第一半导体器件的栅极绝缘体层可操作以允许载流子在所述n-型半导体区域和所述金属栅极之间隧穿；以及

第二半导体器件，其具有n-型半导体区域、所述n-型半导体区域中的至少一个n+区域、金属栅极、以及位于所述金属栅极和所述n-型半导体区域之间的栅极绝缘体层，其中所述第二半导体器件的栅极绝缘体层可操作以允许载流子在所述n-型半导体区域和所述金属栅极之间隧穿；以及

电路，其耦合到所述第一和第二半导体器件，并可操作以使用所述第一和第二半导体器件产生参考输出电压。

18.根据权利要求17所述的电压参考电路，其中所述电路耦合到所述金属栅极，并可操作以施加不同信号到第一和第二半导体器件。