[发明专利]基板、红外线传感器以及贯通电极形成方法

权利要求书

1.一种基板，其特征在于，具有：

衬底基板，形成有在一个面和另一个面上开口的导通孔；

第一绝缘层，包括形成在所述衬底基板的所述一个面以及所述导通孔内的面上的热氧化层；

导电体，由所述第一绝缘层包围，设置在所述导通孔内；以及

布线层，与所述导电体连接，经由所述第一绝缘层而设置在所述衬底基板的所述一个面上，

其中，所述第一绝缘层在所述衬底基板的所述一个面上的厚度与所述第一绝缘层在所述导通孔内的面上的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板具有与所述第一绝缘层连接并且设置在所述衬底基板的所述另一个面上的第二绝缘层。

3.根据权利要求1或2所述的基板，其特征在于，所述导电体包括在所述衬底基板的所述另一个面上突出的突起部。

4.一种贯通电极形成方法，其特征在于，包括：

导通孔形成工序，从衬底基板的一个面形成导通孔；

热氧化工序，在所述衬底基板的所述一个面以及所述导通孔内的面上通过热氧化形成热氧化层；

元件电路形成工序，在所述热氧化工序之后，在所述衬底基板的所述一个面上形成具有导电部的元件电路；以及

导电体形成工序，在所述元件电路形成工序之后，在所述导通孔内以嵌入方式形成导电体。

5.根据权利要求4所述的贯通电极形成方法，其特征在于，

在所述热氧化工序与所述元件电路形成工序之间，包括向所述导通孔内嵌入临时嵌入材料的工序，

在所述元件电路形成工序与所述导电体形成工序之间，包括去除所述临时嵌入材料的工序。

6.根据权利要求4所述的贯通电极形成方法，其特征在于，在所述元件电路形成工序与所述导电体形成工序之间，包括磨削所述衬底基板的另一个面、在所述衬底基板的所述另一个面上设置与所述热氧化层连接的绝缘层的工序。

7.根据权利要求6所述的贯通电极形成方法，其特征在于，在所述导电体形成工序之后，包括在所述衬底基板的所述另一个面上形成与所述导电体连接的端子的工序。

8.根据权利要求7所述的贯通电极形成方法，其特征在于，在磨削所述衬底基板的所述另一个面之前，将支撑部件粘贴在所述衬底基板的所述一个面上。

9.根据权利要求8所述的贯通电极形成方法，其特征在于，在所述端子形成后，去除被粘贴在所述衬底基板的所述一个面上的所述支撑部件。

10.根据权利要求4所述的贯通电极形成方法，其特征在于，在所述导通孔形成工序中，形成贯通了所述衬底基板的导通孔。

11.根据权利要求4至10中任一项所述的贯通电极形成方法，其特征在于，在所述导电体形成工序中，通过电镀形成所述导电体。

12.一种红外线传感器，其特征在于，具有：

衬底基板，形成有在一个面和另一个面上开口的导通孔；

第一绝缘层，包括形成在所述衬底基板的所述一个面以及所述导通孔内的面上的热氧化层；

导电体，由所述第一绝缘层包围，设置在所述导通孔内；

布线层，与所述导电体连接，经由所述第一绝缘层而设置在所述衬底基板的所述一个面上；以及

红外线检测元件，与所述布线层电连接，

其中，所述第一绝缘层在所述衬底基板的所述一个面上的厚度与所述第一绝缘层在所述导通孔内的面上的厚度相同。

13.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述衬底基板为硅基板，所述热氧化层为硅氧化层。

14.根据权利要求12所述的红外线传感器，其特征在于，所述衬底基板为硅基板，所述热氧化层为硅氧化层。

15.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括与所述布线层电连接的元件电路。

16.根据权利要求12所述的红外线传感器，其特征在于，所述红外线传感器包括与所述布线层电连接的元件电路。