[发明专利]画素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种画素结构的制作方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一扫描线以及电性连接于该扫描线的一闸极；

于该基板上形成一氧化物导体层，且该氧化物导体层包括一画素电极以及一第一辅助图案层，该第一辅助图案层部分地重迭于该闸极所在面积，其中该第一辅助图案层包括一第一金属接触部以及一第一半导体接触部；

于该基板上形成一金属导体层，位于该氧化物导体层远离该基板的一侧，该金属导体层包括一数据线、一源极以及一汲极，该源极连接于该数据线，该源极与该汲极彼此分离，该汲极接触该第一金属接触部并暴露出该第一半导体接触部，而该汲极电性连接该画素电极，其中暴露出来的该第一半导体接触部位于该源极与该汲极之间；

形成一氧化物半导体层，该氧化物半导体层连接于该源极与该汲极之间并接触于该金属导体层所暴露出来的该第一半导体接触部；以及

形成一绝缘层于该闸极与该金属导体层之间。

2.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该氧化物导体层的步骤更包括形成一第二辅助图案层，该第一辅助图案层与该第二辅助图案层彼此分离并各自重迭于该闸极，且该第二辅助图案层包括一第二金属接触部以及一第二半导体接触部，而该第二半导体接触部与该第一辅助图案层之间的距离小于该第二金属接触部与该第一辅助图案层之间的距离。

3.根据权利要求2所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该金属导体层的步骤更包括使该源极接触于该第二金属接触部且暴露出该第二半导体接触部。

4.根据权利要求2所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该氧化物半导体层的步骤更包括让该氧化物半导体层接触该第二半导体接触部。

5.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该氧化物导体层的步骤包括使该第一辅助图案层与该画素电极直接连接。

6.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该氧化物导体层的步骤包括使该第一辅助图案层与该画素电极彼此分离且形成该金属导体层的方法更包括使该汲极连接于该画素电极与该第一辅助图案层之间。

7.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：更包括形成一保护层，使该扫描线、该闸极、该氧化物导体层、该金属导体层、该氧化物半导体层以及该绝缘层皆位于该保护层与该基板之间。

8.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该绝缘层的步骤是于形成该氧化物导体层、该金属导体层以及该氧化物半导体层的步骤之后进行，且形成该扫描线与该闸极的步骤是于形成该绝缘层之后进行使该绝缘层位于该闸极与该基板之间。

9.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于：形成该绝缘层的步骤是于形成该氧化物导体层、该金属导体层以及该氧化物半导体层的步骤之前进行，且形成该扫描线与该闸极的步骤是于形成该绝缘层之前进行使该闸极位于该绝缘层与该基板之间。

10.一种画素结构，其特征在于，包括：

一扫描线，配置于一基板上；

一闸极，配置于该基板上并电性连接于该扫描线；

一氧化物导体层，配置于该基板上，且该氧化物导体层包括一画素电极以及一第一辅助图案层，该第一辅助图案层部分地重迭于该闸极所在面积，其中该第一辅助图案层包括一第一金属接触部以及一第一半导体接触部；

一金属导体层，位于该氧化物导体层远离该基板的一侧，该金属导体层包括一数据线、一源极以及一汲极，该源极连接于该数据线，该源极与该汲极彼此分离，该汲极接触该第一金属接触部并暴露出该第一半导体接触部，而该汲极电性连接该画素电极，其中暴露出来的该第一半导体接触部位于该源极与该汲极之间；

一氧化物半导体层，连接于该源极与该汲极之间并接触于该金属导体层所暴露出来的该第一半导体接触部；以及

一绝缘层，配置于该闸极与该金属导体层之间。

11.根据权利要求10所述的画素结构，其特征在于：该氧化物导体层更包括一第二辅助图案层，该第一辅助图案层与该第二辅助图案层彼此分离并各自重迭于该闸极，且该第二辅助图案层包括一第二金属接触部以及一第二半导体接触部，而该第二半导体接触部与该第一辅助图案层之间的距离小于该第二金属接触部与该第一辅助图案层之间的距离。