[发明专利]镀膜件及其制备方法有效
申请号: | 201210070120.X | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN103302916A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 曹达华 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B15/00;C23C12/00;C23C12/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;C23C28/00 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及其制备方法,尤其涉及一种具有较高硬度的装饰膜的镀膜件及其制备方法。
背景技术
物理气相沉积(PVD)由于比较环保,而且制备的膜层具有金属质感以及较好的附着性,因此被广泛用于在计算机、通信和消费类电子产品的金属外壳上制备装饰性膜层。然而,消费者除了对这些产品的外壳的装饰性有较高的要求外,对外壳的表面硬度及耐磨性要求也越来越高。一般装饰性PVD膜层的厚度为2-4微米,经PVD镀膜处理的外壳表面,其复合硬度通常只有HV600,若要进一步提高硬度,通常需要增加膜层厚度。然而,随着膜层沉积厚度的增加,不仅增加成本,而且膜层过厚容易导致膜层表面发朦,光亮度降低,颜色异常。所以,单独的PVD工艺难以满足这种需求。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有较高硬度的装饰膜的镀膜件。
另外,本发明还提供一种上述镀膜件的制备方法。
一种镀膜件,包括金属基体,该镀膜件还包括形成于该金属基体表层的渗碳-硅层、形成于该渗碳-硅层上的结合层以及形成于该结合层上的颜色层,该渗碳-硅层是通过对金属基体进行真空离子渗碳-硅处理而于金属基体表层渗入碳、硅元素而形成,该结合层由金属形成,该颜色层由金属元素与非金属元素组成。
一种镀膜件的制备方法,包括对金属基体进行真空离子渗碳-硅处理,以于该金属基体的表层渗入碳、硅元素而形成一渗碳-硅层,以及采用磁控溅射方法在该渗碳-硅层上依次沉积一结合层及一颜色层,其中,
沉积该结合层是在溅射条件下,以铬、钛及锆中的一种为靶材,在靶材上施加电源使靶材物质溅射并沉积到渗碳-硅层表面;
沉积该颜色层是在溅射条件下,以铬或钛为靶材,以乙炔、氧气及氮气中的一种或多种为反应气体,在靶材上施加电源是靶材物质溅射并沉积到结合层表面。
上述镀膜件的制备方法先采用碳和硅共渗于金属基体表层获得该渗碳-硅层,由于碳和硅同属IVA族,具有很多相似的性质,易形成SiC、Si及C的共渗,而且SiC的硬度接近金刚石的硬度,因此,该渗碳-硅层可以为后续膜层(结合层及颜色层)提供更硬的基底,从而可以是镀膜件获得更高的表面复合硬度。
本发明通过C及Si离子共渗处理配合PVD镀膜工艺,在不增加PVD膜层厚度、膜层表面不发朦的基础上,使镀膜件的耐磨性及耐刮伤性能获得较大提高。
附图说明
图1是本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图。
图2是图1所示镀膜件的制备过程中所用真空离子渗碳-硅设备渗碳-硅设备的结构示意图。
主要元件符号说明
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