[发明专利]固态成像设备、其制造方法以及电子装置有效
| 申请号： | 201210069824.5 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102693990A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黒木章悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 设备 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
1.一种固态成像设备，包括：
光电转换部分，提供在半导体基板内部，用于接收来自所述半导体基板的一个表面的入射光；
配线层，提供在所述半导体基板的另一表面上；以及
光吸收层，提供在所述半导体基板的所述另一表面与所述配线层之间，用于吸收作为入射光的一部分的、穿过所述光电转换部分的透射光。
2.如权利要求1所述的固态成像设备，其中，在所述半导体基板的所述另一表面与所述配线层之间提供光反射防止层。
3.如权利要求1所述的固态成像设备，其中，所述光吸收层是用具有大于所述半导体基板的光吸收系数的材料形成的。
4.如权利要求1所述的固态成像设备，其中：
所述半导体基板是用单晶硅形成的；并且
所述光吸收层是用非晶硅形成的。
5.如权利要求1所述的固态成像设备，其中：
所述半导体基板是用单晶硅形成的；并且
所述光吸收层是用掺杂有锗的非晶硅形成的。
6.如权利要求1所述的固态成像设备，其中：
所述半导体基板是用单晶硅形成的；并且
所述光吸收层是用微晶硅形成的。
7.如权利要求1所述的固态成像设备，其中，向所述光吸收层施加电压，以避免在所述半导体基板的所述另一表面上产生暗电流。
8.如权利要求1所述的固态成像设备，所述固态成像设备还包括像素晶体管电路，其提供在所述半导体基板的所述另一表面上，用于将所述光电转换部分产生的信号电荷作为电信号输出，其中，所述配线层被提供在所述半导体基板的所述另一表面上，以便将所述像素晶体管电路夹在所述配线层与所述半导体基板的所述另一表面之间。
9.一种用于制造一种固态成像设备的方法，包括：
在半导体基板内部提供光电转换部分，以用作用于接收来自所述半导体基板的一个表面的入射光的部分；
在所述半导体基板的另一表面上提供光吸收层，以用作用于吸收作为所述入射光的一部分的、穿过所述光电转换部分的透射光的层；以及
提供配线层，以便覆盖与所述半导体基板有关的所述另一表面，以用作在其上提供所述光吸收层的表面。
10.一种电子装置，包括：
光电转换部分，提供在半导体基板内部，用于接收来自所述半导体基板的一个表面的入射光；
配线层，提供在所述半导体基板的另一表面上；以及
光吸收层，提供在所述半导体基板的所述另一表面与所述配线层之间，用于吸收作为所述入射光的一部分的、穿过所述光电转换部分的透射光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
