[发明专利]半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片

说明书

技术领域

实施方式涉及半导体晶片的加工方法、加工装置以及半导体晶片。

背景技术

作为薄化半导体晶片的方法，已知在半导体晶片背面的外周部留出几mm而仅对中央部进行机械研磨的、称为TAIKO工艺的方法。通过该方法，半导体晶片的外周部未被研磨、仍维持原来的厚度，所以保持了机械强度，能够抑制在之后的加工时和/或运送时半导体晶片开裂和/或翘曲。

在TAIKO工艺中，对中央部进行机械研磨时，通常为了提高指标(index)而先用粗粒度的砂轮进行粗磨，接着用细粒度的砂轮进行细磨。该情况下，因为精磨与粗磨相比对靠内侧的区域进行研磨，所以在精磨区域的外周会残留有粗磨面。

其结果，存在容易以该粗磨面为起点发生开裂的问题。半导体晶片的厚度越薄，越容易发生这样的开裂。

发明内容

一般来说，通过实施方式公开半导体晶片的加工方法。该方法包括如下工序：用第一砂轮或刀片对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽的工序；用第二砂轮对所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述半导体晶片背面与所述槽一体地形成凹部的工序；和用第三砂轮进一步对包括由所述第二砂轮研磨出的研磨面在内的所述凹部的底面进行研磨的工序。

通过其他实施方式公开半导体晶片的加工装置。该装置具备：第一砂轮或刀片，其对在表面形成有半导体元件的半导体晶片背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽；第二砂轮，其对通过所述第一砂轮或刀片形成的所述槽内侧的凸部进行研磨以在所述导体晶片背面与所述环状的槽一体地形成凹部；和对所述凹部的底面进行研磨的第三砂轮。

通过其他实施方式公开半导体晶片。该半导体晶片为在表面形成有半导体元件、在背面形成有凹部的半导体晶片。通过对所述半导体晶片背面的外缘部进行研磨而形成环状槽，所述凹部为通过比所述环状槽更深地研磨该槽内侧而形成的凹部，由所述槽形成的所述凹部内侧面的表面粗糙度(Ry)为0.1μm～2.5μm，其以外的凹部内侧面的表面粗糙度(Ry)为0.5μm以下。

附图说明

图1A～图1D是表示实施方式的半导体晶片的加工方法的概略剖视图。

图2是用于说明实施方式的半导体晶片的加工方法的概略剖视图

图3A～3C是表示用于与实施方式进行比较的半导体晶片的加工方法的概略剖视图。

图4是用于与图2进行对比地说明图3所示的半导体晶片的加工方法的概略剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图对实施方式进行说明。

图1A～图1D是按工序顺序表示一实施方式的半导体晶片的加工方法的概略剖视图。

在本实施方式中，作为第一研磨工序，对在表面形成有半导体元件的包含硅等的半导体晶片10背面的外缘部进行研磨以形成环状的槽12(图1A)。

在该环状槽12的形成中，使用具有如下砂轮的刀片22：粒度至少比在后述的2次研磨工序中使用的第二砂轮以及第三砂轮中在最初的研磨工序(第二研磨工序)中使用的砂轮(第二砂轮)细，例如使研磨面G₁的表面粗糙度(Ry：最大高度)成为0.1μm～2.5μm、优选成为0.1μm～2.0μm的范围。此外，在本实施方式中，使用具有第一砂轮的刀片22，但如果通过刀片自身能够得到希望的表面粗糙度则也可以不使用砂轮。在本实施方式中，环状的槽12被研磨至表面粗糙度(Ry)为1.0μm。

使用刀片22在半导体晶片10背面所形成的槽12的位置，只要槽12的外周在半导体晶片10表面的半导体元件形成区域的外侧、且在半导体的外周部设置有用于表示结晶方位的刻痕(notch)的情况下在该刻痕的内侧即可。通常从半导体晶片10外缘到槽12外周为止的距离D₁为2.0mm～2.5mm的范围。在本实施方式中，对外径300mm、厚度775μm的半导体晶片，在使距离D₁成为2.1mm的位置设置有槽12。