[发明专利]一种无醇单晶硅制绒添加剂无效
申请号: | 201210069182.9 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN102586888A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 屈盛 | 申请(专利权)人: | 苏州先拓光伏科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C23F1/32;H01L31/18 |
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地址: | 215101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 添加剂 | ||
1.一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于它的配方组份为:柠檬酸(或柠檬酸钠)、十二烷基苯磺酸钠和去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于所述的柠檬酸(或柠檬酸钠)浓度在1.0wt%-5.0wt%之间,所述的十二烷基苯磺酸钠浓度在0.1wt%-5.0wt%之间。
3.根据权利要求1所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时,不需要使用异丙醇或乙醇等醇类。
4.根据权利要求1所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时,可以获得均匀、细小、密集的绒面金字塔,金字塔尺寸在1-5μm之间。
5.根据权利要求1所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时,需要将其加入到硅片的腐蚀液中,其所占腐蚀液的体积比例为0.1v/v%-2.0v/v%之间。
6.根据权利要求5所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时,硅片的腐蚀液为氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液,而且氢氧化钠(钾)的浓度在0.5wt%-2.0wt%之间。
7.根据权利要求5所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时,腐蚀液的温度在70℃-85℃之间,硅片的腐蚀时间在15-30分钟之间。
8.根据权利要求1所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于大批量单晶硅片的绒面制作时,每批制绒后,可以根据绒面金字塔的情况,适量补充或不补充。
9.根据权利要求1所述的一种无醇单晶硅制绒添加剂,其特征在于其应用于大批量单晶硅片的绒面制作时,每批制绒后,需要往腐蚀液中适量补充氢氧化钠或氢氧化钾。
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