[发明专利]复合材料、基于复合材料的介质基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210068901.5 申请日: 2012-03-15
公开(公告)号: CN102585444A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 刘若鹏;徐冠雄;金曦 申请(专利权)人: 深圳光启创新技术有限公司
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08L23/00;C08L33/04;C08L83/04;C08K9/10;C08K3/24;B32B15/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518034 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 复合材料 基于 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种复合材料,其特征在于,包括母体材料、高介电常数的粉末颗粒及包裹所述高介电常数的粉末颗粒的有机高分子材料;所述高介电常数的粉末颗粒和有机高分子材料形成核壳结构,所述母体材料和有机高分子材料互不相溶;所述核壳结构无规则离散地分布嵌入在所述母体材料中。

2.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于:所述母体材料为高分子材料,选用环氧树脂、聚烯烃、聚丙烯酸酯类、聚硅氧烷类及其共聚物或共混物中的任意一种。

3.根据权利要求1或2所述的复合材料,其特征在于:所述每一高介电常数的粉末颗粒的粒径在0.05um-4um之间。

4.根据权利要求1或2所述的复合材料,其特征在于:所述每一高介电常数的粉末颗粒的粒径在0.1um-2um之间。

5.根据权利要求4所述的复合材料,其特征在于:所述高介电陶瓷材料选用钛酸钡-锡酸钙和钛酸钡-锆酸钡系高介电常数铁电陶瓷、钛酸钡-锡酸铋系介电常数变化率低的铁电陶瓷、钛酸钡-锆酸钙-铌锆酸铋和钛酸钡-锡酸钡系高压铁电陶瓷以及多钛酸铋及其与钛酸锶等组成的固溶体系低损耗铁电陶瓷中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的复合材料,其特征在于:所述介电常数的粉末颗粒表面上涂覆有活性剂,有机高分子材料通过化学键或氢键等吸附在表面活性剂上以形成所述核壳结构。

7.根据权利要求6所述的复合材料,其特征在于:所述有机高分子材料选用聚苯乙烯(PS)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任意一种。

8.一种基于复合材料的介质基板,包括一导电箔和依附于所述导电箔上的复合材料;所述复合材料包括母体材料、高介电常数的粉末颗粒及包裹所述高介电常数的粉末颗粒的有机高分子材料;所述高介电常数的粉末颗粒和有机高分子材料形成核壳结构,所述母体材料和有机高分子材料互不相溶;所述核壳结构无规则离散地分布嵌入在所述母体材料中。

9.根据权利要求8所述的复合材料,其特征在于:所述导电箔选铜箔、银箔或者金箔中的任意一种。

10.一种复合材料的制造方法,其特征在于:所述制造方法包括如下步骤:

将高介电常数陶瓷加工成粉末颗粒;

将高介电常数陶瓷粉末颗粒表面包裹有机高分子材料,形成核壳结构;

将上述核壳结构和母体材料溶液按照一定比例进行混合配制成粘度溶液;

烘干和固化上述粘度溶液形成复合材料。

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