[发明专利]半导体发光装置及其制备方法

权利要求书

1.半导体发光装置，其包括：

配置以发光的发光部；和

设于所述发光部的一个主表面侧上并且含有磷光体的波长转换部，

所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长分布。

2.根据权利要求1所述的装置，其中设有多个所述发光部。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述波长转换部的磷光体的量的分布使得短波长光位置的磷光体的量小于长波长光位置的磷光体的量。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述波长转换部的磷光体的量的分布使得色度差等于人眼的识别极限或更小。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述波长转换部的磷光体的量的分布使得至少所述发光部的相邻部之间的色度差等于人眼的识别极限或更小。

6.根据权利要求2所述的装置，其中所述波长转换部的磷光体的量的分布使得至少多个所述发光部的每一个的磷光体的量的比例是规定的。

7.根据权利要求1所述的装置，其中

所述波长转换部包括：

设于所述发光部的所述主表面侧上的第一层；和

设于所述第一层上的第二层，

在所述第一层中，所述磷光体的量的比例是固定的，并且

所述第二层具有所述磷光体的量的分布。

8.根据权利要求2所述的装置，其中

所述波长转换部包括：

设于所述发光部的所述主表面侧上的第一层，和

设于所述第一层上的第二层，

在所述第一层中，所述磷光体的量的比例是固定的，并且

所述第二层的磷光体的量的分布使得至少多个所述发光部的每一个的磷光体的量的比例是规定的。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述波长转换部的所述磷光体的量的分布对应于厚度尺寸的变化。

10.根据权利要求2所述的装置，其中所述波长转换部的所述磷光体的量的分布对应于至少多个所述发光部的每一个的厚度尺寸的变化。

11.根据权利要求2所述的装置，其中对多个所述发光部的每一个，提供围绕所述波长转换部的外围的壁部。

12.制备半导体发光装置的方法，该半导体发光装置包括配置以发光的发光部和设于所述发光部的一个主表面侧上并且含有磷光体的波长转换部，所述方法包括：

形成所述发光部；

测量从所述发光部发出的光的波长；

基于测量的光的波长确定所述磷光体的量的分布；

基于确定的所述磷光体的量的分布，将与磷光体混合的树脂供给到所述发光部的所述一个主表面侧；并且

通过固化所供给的与所述磷光体混合的树脂，形成所述波长转换部。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，基于测量的光的波长确定所述磷光体的量的分布包括：通过使短波长光位置的磷光体的量小于长波长光位置的磷光体的量，形成所述磷光体的量的分布。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，基于测量的光的波长确定所述磷光体的量的分布包括：形成所述磷光体的量的分布，使得色度差等于人眼的识别极限或更小。

15.根据权利要求12所述的方法，其中

所述形成所述发光部包括：形成多个所述发光部，

所述测量从所述发光部发出的光的波长包括：对于多个所述发光部中每一个测量光的波长，并且

所述基于测量的光的波长确定所述磷光体的量的分布包括：形成所述磷光体的量的分布，使得至少在所述发光部的相邻部之间的色度差等于人眼的识别极限或更小。

16.制备半导体发光装置的方法，该半导体发光装置包括配置以发光的发光部和设于所述发光部的一个主表面侧上并且含有磷光体的波长转换部，所述方法包括：

形成所述发光部；

测量从所述发光部发出的光的波长；

基于所述测量的光的波长，确定所述磷光体的量的分布；

在所述发光部的一个主表面侧上形成所述波长转换部；并且

基于所确定的所述磷光体的量的分布，改变所述波长转换部的厚度尺寸。