[发明专利]影像感测器封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201210068215.8 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN103311255A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 赵致伦 | 申请(专利权)人: | 赵致伦 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 吴怀权 |
地址: | 中国台湾台中市北区*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种影像感测器封装结构的制造方法,该方法包含下列步骤:
a:提供一个待封装的影像感测器半成品;该影像感测器半成品是指已将影像感测器固定于基板上,并以导线将基板上的数个导电接点与影像感测器上的数个导电接点形成电连接;
b:贴透光盖于该影像感测器上;其中该透光盖与该影像感测器之间设有胶层,该胶层附着于该影像感测器的两端或四周;
c:取一个针筒,且该针筒内装有封胶;
d:通过针头射出该封胶予该影像感测器及该透光盖的侧边,而完全覆盖住该影像感测器侧边的接点、该基板上的接点及连接该影像感测器侧边接点和该基板上接点的导线,而形成一个影像感测器半成品的封装模块;以及
e:烘烤固化该影像感测器半成品的封装模块。
2.如权利要求1所述的影像感测器的封装结构制造方法,其特征在于:该影像感测器为数个影像感测器共构的芯片,且在步骤e之后,还包括一个切割步骤,将经烘烤完成的影像感测器封装模组切割成数个独立的封装结构单体。
3.如权利要求1所述的影像感测器的封装结构制造方法,其特征在于:该基板为电路基板。
4.如权利要求1所述的影像感测器的封装结构制造方法,其特征在于:所述胶层为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的影像感测器的封装结构制造方法,其特征在于:该影像感测器为CCD或CMOS。
6.如权利要求1所述的影像感测器的封装结构制造方法,其特征在于:该封胶为环氧树脂。
7.一种影像感测器的封装结构,其特征包含:
一个基板,该基板具有一个承载面,该承载面上设有数个导电接点;
影像感测器,该影像感测器用于感测光线,并将信息传递至该基板;该影像感测器置放于该基板之上;其中该基板与该影像感测器胶层以胶层形成固定,该影像感测器上设有数个影像导电接点;
一个用于保护该影像感测器的透光盖,该透光盖设于该影像感测器上,其中该透光盖与该影像感测器之间以胶层相固定,该胶层附着于该影像感测器的两端或四周;
数条导线,各该导线的一端连接该影像感测器的影像导电接点,各该导线的另一端分别连接位于该基板上的数个导电接点,以形成导通的状态;以及
封胶层,包封该影像感测器及该透光盖的侧边,覆盖于各接点和导线外。
8.如权利要求7所述的影像感测器的封装结构,其特征在于:该影像感测器为数个影像感测器共构的芯片。
9.如权利要求7所述的影像感测器的封装结构,其特征在于:该基板为一个电路基板。
10.如权利要求7所述的影像感测器的封装结构,其特征在于:该影像感测器为CCD或CMOS。
11.如权利要求7所述的影像感测器的封装结构,其特征在于:该封胶层为环氧树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的