[发明专利]包括用于补偿寄生电感的电路的半导体装置有效
申请号: | 201210068132.9 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN102684461A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | R.巴耶雷尔;P.T.卢尼夫斯基 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 用于 补偿 寄生 电感 电路 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
第一晶体管;
第二晶体管,与所述第一晶体管并联耦合;
第一寄生电感,位于所述第一晶体管的发射极和所述第二晶体管的发射极之间;
第一电路,被配置为基于公共驱动器信号向所述第一晶体管提供第一栅极驱动器信号;以及
第二电路,被配置为基于所述公共驱动器信号向所述第二晶体管提供第二栅极驱动器信号,
其中所述第一电路和所述第二电路被配置为补偿跨越所述第一寄生电感的压降,使得所述第一栅极驱动器信号和所述第二栅极驱动器信号与所述公共驱动器信号同相并且具有与所述公共驱动器信号相同的幅值。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:
第一二极管,耦合在所述第一晶体管的集电极和发射极之间;以及
第二二极管,耦合在所述第二晶体管的集电极和发射极之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第一电路包括:
第一隔离电压源;以及
第一隔离驱动器,耦合到所述第一隔离电压源,所述第一隔离驱动器被配置为接收所述公共驱动器信号并且基于所述公共驱动器信号提供所述第一栅极驱动器信号;以及
其中所述第二电路包括:
第二隔离电压源;以及
第二隔离驱动器,耦合到所述第二隔离电压源,所述第二隔离驱动器被配置为接收所述公共驱动器信号并且基于所述公共驱动器信号提供所述第二栅极驱动器信号。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:
第三晶体管,与所述第一晶体管串联耦合;
第四晶体管,与所述第二晶体管串联耦合并且与所述第三晶体管并联耦合;
第二寄生电感,位于所述第三晶体管的发射极和所述第四晶体管的发射极之间;
第三电路,被配置为基于另外公共驱动器信号向所述第三晶体管提供第三栅极驱动器信号;以及
第四电路,被配置为基于所述另外公共驱动器信号向所述第四晶体管提供第四栅极驱动器信号,
其中所述第三电路和所述第四电路被配置为补偿跨越所述第二寄生电感的压降,使得所述第三栅极驱动器信号和所述第四栅极驱动器信号与所述另外公共驱动器信号同相并且具有与所述另外公共驱动器信号相同的幅值。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:
隔离电压源,
其中所述第一电路包括经由第一解耦电阻器耦合到所述隔离电压源的第一隔离驱动器,所述第一隔离驱动器被配置为接收所述公共驱动器信号并且基于所述公共驱动器信号提供所述第一栅极驱动器信号,以及
其中所述第二电路包括经由第二解耦电阻器耦合到所述隔离电压源的第二隔离驱动器,所述第二隔离驱动器被配置为接收所述公共驱动器信号并且基于所述公共驱动器信号提供所述第二栅极驱动器信号。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述隔离电压源提供DC+电压、DC-电压和地信号,
其中所述第一电路包括第一电容器和第二电容器,所述第一电容器耦合在第一DC+电压信号路径和第一地信号路径之间,而所述第二电容器耦合在第一DC-电压信号路径和所述第一地信号路径之间,以及
其中所述第二电路包括第三电容器和第四电容器,所述第三电容器耦合在第二DC+电压信号路径和第二地信号路径之间,而所述第四电容器耦合在第二DC-电压信号路径和所述第二地信号路径之间。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:
隔离电压源,
其中所述第一电路包括经由第一耦合共模扼流器耦合到所述隔离电压源的第一隔离驱动器,所述第一隔离驱动器被配置为接收所述公共驱动器信号并且基于所述公共驱动器信号提供所述第一栅极驱动器信号,以及
其中所述第二电路包括经由第二耦合共模扼流器耦合到所述隔离电压源的第二隔离驱动器,所述第二隔离驱动器被配置为接收所述公共驱动器信号并且基于所述公共驱动器信号提供所述第二栅极驱动器信号。
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