[发明专利]具有MOSFET和IGBT的电路布置

权利要求书

1.一种电路，包括：

输入端子和输出端子；

至少一个FET，具有栅极端子和漏极-源极路径，所述漏极-源极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；

至少一个IGBT，具有栅极端子和集电极-发射极路径，所述集电极-发射极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；

限压电路，耦合到所述至少一个IGBT的栅极端子并且被配置为当跨越所述集电极-发射极路径的电压达到阈值电压时将所述至少一个IGBT驱动到接通状态；以及

控制电路，具有耦合到所述至少一个FET的栅极端子的第一驱动输出。

2.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

电阻器，耦合在所述输入端子和所述输出端子之间。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述电阻器是PTC电阻器。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个FET具有电压阻挡能力，并且其中所述阈值电压在所述电压阻挡能力以下。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述限压电路包括：

至少一个限压元件，连接在漏极端子和所述至少一个IGBT的栅极端子之间。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述限压电路是齐纳二极管。

7.根据权利要求6所述的电路，其中多个齐纳二极管串联连接在所述漏极端子和所述至少一个IGBT的栅极端子之间。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个IGBT仅使所述限压电路连接到其栅极端子。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述控制电路进一步包括耦合到所述至少一个IGBT的栅极端子的第二驱动输出。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述电路被配置为采取

接通状态，其中所述控制电路生成所述第一驱动输出处的第一驱动信号的接通电平以及第二驱动输出处的第二驱动信号的接通电平，或者

断开状态，其中所述控制电路生成所述第一驱动输出处的第一驱动信号的断开电平以及第二驱动输出处的第二驱动信号的断开电平。

11.根据权利要求10所述的电路，其中在断开状态开始时所述控制电路被配置为同时生成第一和第二驱动信号的断开电平。

12.根据权利要求10所述的电路，其中在断开状态开始时所述控制电路被配置为在第一驱动信号的断开电平之后生成第二驱动信号的断开电平。

13.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个FET包括多个FET，它们的漏极-源极路径并联连接并且它们的栅极端子彼此连接。

14.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个IGBT包括多个IGBT，它们的集电极-发射极路径并联连接并且它们的栅极端子彼此连接。

15.根据权利要求1所述的电路，其中所述至少一个FET被实施为MOSFET。