[发明专利]包括底座的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210068095.1 申请日: 2012-03-15
公开(公告)号: CN102683301B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: A.克里斯特曼;P.琼斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 王岳,卢江
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 底座 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

半导体芯片;

底座,耦接到所述半导体芯片,所述底座包括上部分和下部分,所述上部分具有与所述下部分的侧壁相交的底表面;以及

冷却元件,耦接到所述底座,所述冷却元件具有与所述底座的上部分的底表面直接接触的第一表面、与所述底座的下部分的侧壁直接接触的第二表面、以及与所述第一表面平行并且与所述底座的下部分的底表面对准的第三表面;

多个销,从底座的表面延伸到冷却元件的空腔中,并且与冷却元件的第一部分的表面接触;

其中所述冷却元件包括用于使冷却剂通过所述冷却元件的入口和出口,并且所述入口和出口由所述冷却元件的第三表面限定。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

密封剂,与所述底座和所述冷却元件直接接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述密封剂包括O形环。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述冷却元件包括用于布置所述O形环的所述第一表面中的凹部。

5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述冷却元件包括用于布置所述O形环的所述第二表面中的凹部。

6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述密封剂包括硅膏和硅胶之一。

7.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述密封剂包括衬垫。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体芯片包括功率半导体芯片。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

基板,将所述半导体芯片耦接到所述底座。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述基板包括金属化陶瓷基板。

11.一种模块,包括:

功率半导体芯片;

底座,耦接到所述功率半导体芯片;以及

冷却元件,耦接到所述底座,所述冷却元件包括用于使冷却剂通过所述冷却元件的入口和出口,所述入口和出口由所述冷却元件的第一表面限定;

多个销,从底座的表面延伸到冷却元件的空腔中,并且与冷却元件的第一部分的表面接触;

其中所述底座的第一表面与所述冷却元件的第一表面对准。

12.根据权利要求11所述的模块,其中所述底座的第二表面与所述冷却元件的第二表面直接接触,所述冷却元件的第二表面与所述冷却元件的第一表面直接相对。

13.根据权利要求12所述的模块,其中所述底座的第三表面从所述底座的第一表面延伸到所述底座的第二表面,所述底座的第三表面与所述冷却元件的第三表面直接接触。

14.根据权利要求11所述的模块,进一步包括:

所述底座和所述冷却元件之间的密封剂,所述密封剂被配置为防止所述底座和所述冷却元件之间的冷却剂的泄漏。

15.根据权利要求14所述的模块,其中所述密封剂包括O形环、衬垫、硅膏和硅胶之一。

16.一种用于制造半导体装置的方法,所述方法包括:

提供冷却元件,所述冷却元件包括入口、出口、所述入口和出口之间的空腔、以及通过所述冷却元件到达所述空腔的开口,所述开口具有侧壁;

使半导体芯片耦接到底座;以及

使所述底座耦接到所述冷却元件,使得所述底座的第一部分延伸到所述开口中并且所述底座的第二部分在所述开口的侧壁上延伸,从而使得所述底座的第一表面与所述冷却元件的第一表面对准;

将多个销从底座的表面延伸到冷却元件的空腔中,以与冷却元件的第一部分的表面接触;

其中所述入口和出口由所述冷却元件的第一表面限定。

17.根据权利要求16所述的方法,进一步包括:

在将所述底座耦接到所述冷却元件之前,将密封剂布置在所述冷却元件和所述底座中的一个上。

18.根据权利要求17所述的方法,其中布置所述密封剂包括在通过所述冷却元件的所述开口周围布置O形环、衬垫、硅膏和硅胶之一。

19.根据权利要求16所述的方法,包括将所述底座耦接到所述冷却元件,使得从所述底座的第一部分延伸的销延伸到所述冷却元件的空腔中。

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