[发明专利]一种用于GaN生长的复合衬底无效
| 申请号： | 201210068026.0 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103305908A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张国义;孙永健;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 生长 复合 衬底 | ||
1.一种用于GaN生长的复合衬底，包括一导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，其中所述导热导电层的熔点大于1000℃。
2.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述导热导电层的厚度为10微米～3000微米，优选为50微米～400微米；所述GaN单晶层的厚度为0.1微米～100微米，优选为1微米～50微米。
3.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述导热导电层的材料是熔点大于1000℃的单质金属或合金或准合金。
4.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述导热导电层的材料选自金属W、Ni、Mo、Pd、Au和Cr中一种或多种的合金，或者是这些金属中的一种或多种与Cu的合金，或者是Si晶体、SiC晶体或AlSi晶体。
5.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述导热导电层与GaN单晶层之间具有一柔性介质键合层。
6.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述复合衬底内还具有一反射层，该反射层位于GaN单晶层的内部、底部或底面，所述GaN单晶层的底面是指GaN单晶层与导热导电层连接的一面。
7.如权利要求6所述的复合衬底，其特征在于，所述导热导电层上依次是键合层、反射层和GaN单晶层。
8.如权利要求7所述的复合衬底，其特征在于，所述反射层是金属反射层。
9.如权利要求6所述的复合衬底，其特征在于，所述反射层是具有光栅或光子晶格结构的周期性结构层，位于GaN单晶层的内部或底部。
10.如权利要求9所述的复合衬底，其特征在于，所述反射层是由折射率与GaN不同，熔点在1000℃以上的材料形成的周期性结构，嵌于GaN单晶层内。
11.如权利要求10所述的复合衬底，其特征在于，所述反射层是由SiO2或SiN形成的周期性结构，嵌于GaN单晶层内。
12.如权利要求9所述的复合衬底，其特征在于，所述反射层是在GaN单晶层底部形成的周期性图形。
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