[发明专利]一种谐振腔调谐结构有效
申请号: | 201210067883.9 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN103311636A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 王清源;谭宜成;莫坤山 | 申请(专利权)人: | 成都赛纳赛德科技有限公司 |
主分类号: | H01P7/06 | 分类号: | H01P7/06 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
地址: | 610000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 谐振腔 调谐 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种谐振腔调谐结构,具体地说,是涉及一种用于微波器件调节的谐振腔调谐结构。
背景技术
在对微波谐振腔进行调谐的时候,通常会用到调谐螺钉。但普通的调谐螺钉的调谐灵敏度有限,且经常出现调谐螺钉与被调谐结构之间的间隙很小的情况,这加大了调谐的难度,且这种情况还会带来稳定性问题。在微带结构、介质谐振腔和介质振荡器等器件中,由于这些器件中电磁场能量集中在器件内,使一般调谐螺钉对电磁场的影响很小,调谐效果很差。
发明内容
本发明的主要优点,利用位于调谐螺钉前端、介电常数或导磁率很高的介质材料,明显地改变谐振腔内部的电磁场分布,从而更好地对谐振腔的特性进行调节。
本发明的目的在于提供一种结构简单、加工简单、调试方便的谐振腔调谐结构。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种谐振腔调谐结构,包括金属空腔、以及从金属空腔外伸入金属空腔内的支撑体、以及设置在支撑体伸入到金属空腔内一端的介质体;还包括与金属空腔内壁连接的金属柱;介质体位于金属柱的上方或侧面。根
所述介质体与支撑体的交界面为平面。
所述介质体与支撑体之间还设置有薄金属片,并且介质体、薄金属片、支撑体三者之间的交界面为互相平行的平面。
所述介质体远离支撑体的一面也设置有薄金属片。
所述支撑体在远离金属空腔内部的一端设置有螺纹;支撑体在远离金属空腔内部的一端还设置有固定装置,所述支撑体通过螺纹与固定装置配合,使得支撑体在金属空腔内上行移动调节,并由固定装置固定。
在所述支撑体与介质体之间还设置有金属台,所述金属台与支撑体、介质体的连接界面均为平面。
金属柱为柱状金属。
所述支撑体为导体或相对介电常数小于3的介质材料或相对导磁率小于3的介质材料。
所述介质体的相对介电常数或相对导磁率大于30。
所述金属空腔为开口的空腔或封闭的空腔。
在本发明中,本发明通过在支撑体伸入到金属空腔内一端设置介质体。借助介质体的作用,可以改变其电磁场分布,从而对微波器件的特性进行调节。一般在空气中的电磁波的波长比较大,增加了介质体后,改变了电磁波的传输波长。以此可以改变其电磁场分布,对电磁场的影响很大,调谐效果很好,增加调节的灵敏度。为形成耦合结构,本发明在金属空腔内壁连接有金属柱;介质体位于金属柱的上方或侧面。金属柱与金属空腔谐振结构。通过支撑体和介质体调谐他的谐振特性。
将支撑体设置有柱状结构方便加工生产、以及方便支撑体上下调节,使得可随时改变对电磁场的影响。
将介质体、薄金属片、支撑体三者之间的交界面为互相平行的平面。以此他们三者的结构设计简单、方便批量生产。同时将三者之间的交界面设置成互相平行的平面,可方便他们三者之间的连接。减少加工时间和加工难度。
由于一般采用的介质体为现有市场上的标准产品,因此一般标准的介质体一般为了方便使用者焊接,其一端都设置有薄金属片,为了在此基础上设置成电容,本发明特在介质体远离支撑体的一面也设置有薄金属片,这样介质体的上下两端均设置有薄金属片,以此形成电容体结构,从而增加对电磁场的影响效果。进一步的增加调节的灵敏度。
本发明设置的支撑体通过螺纹与固定装置配合,通过旋转固定装置,可使得支撑体上下移动,方便对电磁波的人为的主观调节。
当支撑体横切面比较小的时候,介质体比较大的时候,此时,要想将支撑体与介质体进行焊接,因此有一定的难度,为此,本发明特在支撑体与介质体之间设置有金属台,通过中间体的形式使得支撑体与介质体能快速焊接在一起,在不会影响本发明的电气性能的情况下,增加金属台,可方便连接,增加生产效率。
当用到天线设计领域的时候,采用金属空腔为开口的空腔;当用到滤波器、耦合器领域的时候,采用金属空腔为封闭的空腔。
所述介质体的介电常数或/和导磁率大于30。
经过多次对比实验数据对比效果、以及理论推导,当支撑体为导体或/和相对介电常数小于3的介质材料或/和相对导磁率小于3的介质材料。且当介质体的相对介电常数或/和相对导磁率大于30的时候,可以更有效地改变微波器件内部电磁场分布。从而更有效地实现对微波器件的调节。
当采用相对介电常数或/和相对导磁率比较小的介质体的材料时候,本发明的效果不明显,没有什么实际的意义,因此,本发明采用相对介电常数或/和相对导磁率大于30的介质体,其效果更加明显。
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