[发明专利]一种硅纳米孔洞的孔径调节方法

权利要求书

1.一种硅纳米孔洞的孔径调节方法，其特征在于包括如下步骤：

1)、通过检测手段测量出硅纳米孔洞的直径为D1；

2)、计算出直径D1与期望值D2的偏差Δ，并按下述两种情况进行操作：

a)、若直径D1大于期望值D2，此时Δ＝D1-D2，将带有硅纳米孔洞的器件加热氧化，控制氧化时间使硅纳米孔洞内壁的硅被氧化掉的厚度为r，r＝(Δ/2)×(44/56)，然后检测氧化后的硅纳米孔洞的直径是否达到期望值D2，如果是则停止操作，如果否则重复步骤2)，直至获得期望的孔洞大小；

b)、若直径D1小于期望值D2，此时Δ＝D2-D1，则首先将带有硅纳米孔洞的器件加热氧化，控制氧化时间使硅纳米孔洞内壁的硅被氧化掉的厚度为Δ/2；接着用氢氟酸溶液腐蚀掉生成的二氧化硅层，最后检测腐蚀掉二氧化硅层后的硅纳米孔洞的直径是否达到期望值D2，如果是则停止操作，如果否则重复步骤2)，直至获得期望的孔洞大小。

2.根据权利要求1所述的硅纳米孔洞的孔径调节方法，其特征在于：所述步骤a)中，将带有硅纳米孔洞的器件放入氧化炉中，采用干法氧化的方法加热氧化。

3.根据权利要求1所述的硅纳米孔洞的孔径调节方法，其特征在于：所述步骤b)中，氧化时将带有硅纳米孔洞的器件放入氧化炉中，采用干法氧化的方法加热氧化。

4.根据权利要求1或3所述的硅纳米孔洞的孔径调节方法，其特征在于：所述步骤b)中，氢氟酸溶液的浓度值为2％～15％。