[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一第一图案化金属层，该第一图案化金属层包括一扫描线以及连接于该扫描线的一栅极；

在该第一图案化金属层上依序地形成一第一绝缘层、一半导体层以及一蚀刻阻挡图案，该蚀刻阻挡图案位于该栅极上方；

在该半导体层以及该蚀刻阻挡图案上形成一金属层；

图案化该金属层以及该半导体层以形成一第二图案化金属层以及一图案化半导体层，该第二图案化金属层包括一数据线、一源极与一漏极，该数据线的延伸方向与该扫描线的延伸方向相交，该源极与该漏极彼此相对并位于该蚀刻阻挡图案上，该图案化半导体层包括完全地重叠于该第二图案化金属层的一第一半导体图案以及不重叠于该第二图案化金属层的一第二半导体图案，其中该第二半导体图案包括位于该源极与该漏极之间的一通道图案以及包围该第一半导体图案的一边缘图案；

该基板上形成一第二绝缘层并于该第二绝缘层上形成暴露出该漏极的一接触开口；以及

在该第二绝缘层上形成一像素电极，且该像素电极透过该接触开口连接至该漏极。

2.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中图案化该金属层以及该半导体层的方法包括：

在该金属层以及该半导体层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层包括一第一光阻图案以及一第二光阻图案，该第一光阻图案的厚度大于该第二光阻图案且该第二光阻图案包围该第一光阻图案；

以该图案化光阻层为掩模进行一第一蚀刻步骤以将暴露的部分该金属层以及下方的部分该半导体层移除，以构成一预图案化金属层以及该图案化半导体层；

移除该第二光阻图案并使第一光阻图案薄化为一第三光阻图案，以暴露出部分该预图案化金属层；

以该第三光阻图案为掩模进行一第二蚀刻步骤以将暴露的部分该预图案化金属层移除而形成该第二图案化金属层；以及

移除该第三光阻图案。

3.根据权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中该预图案化金属层相对该图案化光阻图案内缩一第一距离而该图案化半导体层相对该预图案化金属层内缩一第二距离。

4.根据权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中该第二光阻图案由该第一光阻图案向外延伸的宽度大于该第一距离与该第二距离的总和。

5.根据权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中该第一距离由1微米到6微米，而该第二距离由0.2微米到2微米。

6.根据权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中形成该图案化光阻层的方法包括利用一掩模进行一光刻步骤以图案化形成于该基板上的一光阻层且该掩模包括一灰阶掩模、一半透掩模或一狭缝式掩模。

7.根据权利要求6所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中该掩模具有透光率不同的一第一透光区、一第二透光区以及一第三透光区，且进行该光刻步骤时，光线透过该第一透光区、该第二透光区以及该第三透光区而将该光阻层图案化以分别地形成该第一光阻图案以及该第二光阻图案。

8.根据权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，其中该第二透光区的透光率介于该第一透光区的透光率与该第三透光区的透光率之间。

9.一种像素结构，其特征在于，配置于一基板上，该像素结构包括

一第一图案化金属层，配置于该基板上，包括一扫描线以及连接于该扫描线的一栅极；

一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层与该基板上；

一图案化半导体层，配置于该第一绝缘层上，包括一第一半导体图案以及一第二半导体图案；

一蚀刻阻挡图案，配置于该图案化半导体层上，位于该栅极上方；

一第二图案化金属层，配置于该第一半导体图案上，且该第二图案化金属层包括一数据线、一源极以及一漏极，该数据线的延伸方向相交于该扫描线的延伸方向，该源极与该漏极彼此分离地配置于该蚀刻阻挡图案上且该源极连接于该数据线，其中该第二图案化金属层完全与该第一半导体图案重叠，且该第二半导体图案包括位于该源极与该漏极之间并且被该蚀刻阻挡图案遮蔽的通道图案以及包围该第一半导体图案的边缘的一边缘图案；

一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层上，且该第二绝缘层具有暴露出该漏极的一接触开口；以及

一像素电极，配置于该第二绝缘层上并通过该接触开口连接于该漏极。