[发明专利]场发射元件与场发射显示装置有效
申请号: | 201210067736.1 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102592925A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 邱胜正;吴宗典;郭志彻 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01J29/02 | 分类号: | H01J29/02;H01J31/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 元件 显示装置 | ||
1.一种场发射元件,包括:
一第一基板;
一第二基板,与该第一基板相对设置;
一第一电极,设置于该第一基板面对该第二基板的一第一内表面上;
一第二电极,设置于该第二基板面对该第一基板的一第二内表面上;
一第三电极,设置于该第二基板的该第二内表面上;以及
一图案化介电层,设置于该第二基板的该第二内表面上,且该图案化介电层是设置于该第二电极与该第三电极之间;
其中该图案化介电层是与该第二电极互相分离,该图案化介电层是与该第三电极互相分离,该图案化介电层的一第一厚度大体上是大于该第二电极的一第二厚度,且该图案化介电层的该第一厚度大体上是大于该第三电极的一第三厚度。
2.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该第二电极与该第三电极是由同一材料层所构成。
3.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该第二电极与该第三电极分别具有多个分支电极,且各该分支电极是彼此交错设置。
4.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层是于一平行于该第二基板的一方向上设置于该第二电极与该第三电极之间。
5.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层的一介电常数大体上是介于1至10之间。
6.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层的该第一厚度与该第二电极的该第二厚度的一比值大体上是介于1至100之间,且该图案化介电层的该第一厚度与该第三电极的该第三厚度的一比值大体上是介于1至100之间。
7.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层与该第二电极间的一第一距离大体上是相等于该图案化介电层与该第三电极间的一第二距离。
8.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层与该第二电极间的一第一距离跟该第二电极与该第三电极间的一第三距离的一比值大体上是介于0.01至0.4之间,且该图案化介电层与该第三电极间的一第二距离跟该第二电极与该第三电极间的该第三距离的一比值大体上是介于0.01至0.4之间。
9.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该第一电极为一阳极电极,该第二电极为一阴极电极,且该第三电极为一栅极电极。
10.如权利要求9所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层与该第二电极间的一第一距离大体上是小于或等于该图案化介电层与该第三电极间的一第二距离。
11.如权利要求9所述的场发射元件,其特征在于,更包括一第一场发射源设置于该阴极电极上。
12.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该第一电极为一阳极电极,该第二电极为一第一阴/栅极电极,且该第三电极为一第二阴/栅极电极。
13.如权利要求12所述的场发射元件,其特征在于,更包括一第一场发射源设置于该第一阴/栅电极上,以及一第二场发射源设置于该第二阴/栅极电极上。
14.如权利要求13所述的场发射元件,其特征在于,该第一阴/栅电极与该第二阴/栅极电极的驱动方式包括一使用交流电压的驱动方式。
15.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,更包括一萤光层,设置于该第一电极与该第二电极之间以及设置于该第一电极与该第三电极之间。
16.如权利要求1所述的场发射元件,其特征在于,该图案化介电层具有一弧形表面。
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