[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2011年6月2日在韩国递交的韩国专利申请第10-2011-0053183号的优先权，在此通过参考整体引入该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施例涉及一种发光器件、该发光器件的制造方法及该发光器件的发光器件封装。

背景技术

已经开发了红色、绿色以及蓝色LED(发光二极管)，其能够基于GaN的金属有机化学气相沉积和分子束外延的发展而产生高亮度以及白色。

因为LED不包括在现有技术的发光器件(例如白炽灯或荧光灯)中使用的对环境有害的物质(例如汞)，LED是环保的，而且还具有长使用寿命和低功耗的优点，因此LED正在逐渐取代现有的光源。LED的核心竞争力在于高亮度的体现，这归功于高效率高功率芯片和封装技术。

为了高亮度的体现，增强光提取效率很重要。为了增强光提取效率，通过使用倒装芯片结构、表面毛化(texturing)、图案化蓝宝石衬底PPS、光子晶体技术、抗反射层结构等进行了各种方法研究。

发明内容

为克服现有技术的缺陷，本发明的实施例提供一种能够提高照明效率的发光器件。

在一个实施例中，一种发光器件包括：导电衬底；多个发光元件(light emitting cell)，布置在所述导电衬底上，其中所述多个发光元件的每一个包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；保护层，布置为覆盖所述第一半导体层的一侧和所述有源层的一侧；以及第一电极，用于将多于一个的发光元件的多个第二半导体层彼此连接，其中所述保护层包括多个突出部，所述突出部从所述第一半导体层的该侧和所述有源层的该侧延伸到所述多个发光元件的每一个的内部。

所述第一半导体层的该侧和所述有源层的该侧在每一侧均可具有第一凹槽，并且所述保护层具有放置在所述第一凹槽中的所述突出部。

所述保护层可布置为进一步覆盖所述第二半导体层的一侧的一部分，其中在所述第二半导体层的该侧的该部分中可具有第二凹槽，并且所述保护层的该部分延伸以填充所述第二凹槽。

所述第一电极可将相邻的发光元件的多个第二半导体层彼此连接。

所述第一电极可包括：第二电极，布置在所述第二半导体层上；以及连接电极，用于将每个相邻的发光元件的所述第二电极彼此连接。所述连接电极可布置在所述第一半导体层的该侧并布置在所述保护层上。所述第一电极还可包括布置在所述第二半导体层的该侧处的第三电极。

所述第二电极可布置在所述第二半导体层的边缘区域上。

所述导电衬底可包括：支撑衬底；反射层，位于所述支撑衬底上；接合层，位于所述支撑衬底与所述反射层之间；以及欧姆层，位于所述反射层上，其中所述保护层可布置在所述欧姆层上。

所述保护层可覆盖所述欧姆层，并且所述保护层可具有突出部，该突出部从该欧姆层的一侧插入到所述欧姆层的内部。

所述保护层可包括：第一子保护层，布置在所述导电衬底的边缘区域上，第二子保护层，布置在所述导电衬底上，其中所述第二子保护层覆盖每一个发光元件的该侧的一部分；以及第三子保护层，布置在所述导电衬底上且位于所述多个发光元件之间。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，限定为分成多个子发光区域，所述多个子发光区域的每一个包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；保护层，布置在所述多个子发光区域的每一个的所述发光结构的一侧；第一电极，将多于一个的子发光区域的多个第二半导体层彼此连接；以及第二电极，位于所述第一半导体层下方，所述第二电极将所述多个子发光区域的每一个的第一半导体层连接在一起，其中该发光结构的该侧可包括：第一侧，与所述发光结构的上侧相邻；第二侧，与所述发光结构的下侧相邻，该第二侧具有到所述第一侧的台阶；以及第三侧，将所述第一侧连接到所述第二侧，其中所述保护层覆盖所述第二侧和所述第三侧。

所述第一侧、所述第三侧、以及所述第二侧的一部分可以是所述第二半导体层的一侧，并且所述第二侧的另一部分可以是所述有源层的一侧和所述第一半导体层的一侧。

所述保护层可具有与所述第一侧齐平的外侧。

所述保护层可覆盖与所述第二侧相邻的所述发光结构的下侧的边缘。

在另一个实施例中，一种照明设备包括：光源，用于发射光；壳体单元，用于容纳所述光源；散热单元，用于散发来自所述光源的热；以及支撑件，将所述光源和所述散热单元固定到所述壳体单元，其中所述光源包括衬底和根据所述实施例的发光器件。