[发明专利]制造半导体装置的设备和方法有效
申请号: | 201210067387.3 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN102683256A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 田中阳子 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B65G47/91 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱立鸣 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 装置 设备 方法 | ||
1.一种用于制造半导体装置的方法,所述方法包括如下步骤:
通过抽吸将半导体晶片的正面附连到卡吸台的附连板的表面上;
从所述半导体晶片的背面将所述半导体晶片的内部区域磨削成具有凹入构造,而在所述半导体晶片的外周缘部处留有环形加强部;以及
在保持所述半导体晶片的同时,从所述卡吸台运输具有所述环形加强部的所述半导体晶片;
运输所述半导体晶片的步骤包括如下几步:
在与所述半导体晶片将被保持的位置不同的位置上从所述半导体晶片的所述背面侧向其正面侧按压所述半导体晶片,在保持具有所述环形加强部的所述半导体晶片之前进行按压所述半导体晶片的步骤;
通过向所述卡吸台供给正压解除在所述半导体晶片的正面上通过抽吸的附连;
解除在与所述半导体晶片的保持位置不同的位置上从所述半导体晶片的所述背面侧向其所述正面侧对所述半导体晶片的按压,在按压所述半导体晶片的步骤中进行对所述晶片的按压;以及
在保持住所述半导体晶片的同时,从所述卡吸台拾取具有所述环形加强部的所述半导体晶片。
2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法,其特征在于,在具有所述环形加强部的所述半导体晶片内的、在解除附连的步骤中将正压供给到卡吸台上时易于局部变形的部位上进行按压所述半导体晶片的步骤。
3.如权利要求1或2所述的制造半导体装置的方法,其特征在于,按压所述半导体晶片的所述步骤包括如下步骤:
从所述半导体晶片的所述背面侧向其所述正面侧按压所述环形加强部;以及
使用于保持所述半导体晶片的吸引构件与所述半导体晶片的具有凹入构造的内部区域接触。
4.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法,其特征在于,按压所述环形加强部的所述步骤包括将弹性材料推向所述环形加强部以使所述弹性材料跟随所述环形加强部的形状而变形的过程。
5.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法,其特征在于,在解除对所述半导体晶片的按压的所述步骤之后,拾取所述半导体晶片的所述步骤包括如下过程:将负压供给到与所述半导体晶片接触的、用于保持所述半导体晶片的所述吸引构件上,以吸引所述半导体晶片的具有凹入构造的内部区域。
6.如权利要求1或2所述的制造半导体装置的方法,其特征在于,按压所述半导体晶片的所述步骤包括如下步骤:
从所述背面侧向正面侧按压所述半导体晶片的具有凹入构造的内部区域;以及
从所述环形加强部的外侧保持所述环形加强部。
7.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法,其特征在于,按压所述内部区域的所述步骤包括如下过程:将弹性材料推向具有凹入构造的所述内部区域以及所述环形加强部的内周缘部分,以使所述弹性材料跟随所述环形加强部的形状而变形。
8.一种用于制造半导体装置的设备,所述设备包括:
卡吸台,所述卡吸台通过吸引待加工的半导体晶片的正面来附连所述半导体晶片;
磨削装置,所述磨削装置从所述半导体晶片的背面将所述半导体晶片的内部区域磨削成具有凹入构造,而在所述半导体晶片的外周缘部处留有环形加强部;
运输装置,在保持所述半导体晶片的同时所述运输装置从所述卡吸台运输具有所述环形加强部的所述半导体晶片;其中所述运输装置包括:
按压装置,所述按压装置在与所述半导体晶片的保持位置不同的位置上从所述半导体晶片的所述背面侧向其所述正面侧按压具有所述环形加强部的所述半导体晶片;
正压供给装置,所述正压供给装置将正压供给到所述卡吸台上;以及
拾取装置,在保持所述半导体晶片的同时,所述拾取装置从所述卡吸台拾取具有所述环形加强部的所述半导体晶片。
9.如权利要求8所述的制造半导体装置的设备,其特征在于,所述按压装置按压在具有所述环形加强部的所述半导体晶片内的、在借助于所述正压供给装置向所述卡吸台上供应所述正压时易于局部变形的部位上。
10.如权利要求8或9所述的制造半导体装置的设备,其特征在于,所述按压装置包括:
加强部按压机构,所述加强部按压机构从所述半导体晶片的所述背面侧向其所述正面侧按压所述环形加强部;以及
保持机构,所述保持机构保持所述半导体晶片的具有凹入构造的所述内部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造