[发明专利]离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于包括：

离子源，生成在一个方向上长的带状离子束；

质量分离磁铁，配置在所述离子源的下游，具有一对磁极，该一对磁极隔着所述离子束的主平面相对设置，所述离子束的主平面位于由所述离子束的长度方向和行进方向定义的平面内，通过在所述磁极之间产生的磁场，使所述离子束的行进方向在所述离子束的长度方向上偏转；

分析狭缝，使通过所述质量分离磁铁后的离子束中的、包含所希望的离子种类的离子束通过；以及

处理室，配置有基板，通过所述分析狭缝后的离子束照射到所述基板上，其中，

在所述磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过所述质量分离磁铁内部的所述离子束的主平面。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述磁极在所述离子束的长度方向上的尺寸大于所述离子束的尺寸。

3.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述一对磁极之间的距离在所述质量分离磁铁的内部是固定的。

4.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述磁极在所述离子束的长度方向上的尺寸大于所述离子束的尺寸，

所述一对磁极之间的距离在所述质量分离磁铁的内部是固定的。

5.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向倾斜交叉。

6.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述磁极在所述离子束的长度方向上的尺寸大于所述离子束的尺寸，

由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向倾斜交叉。

7.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述一对磁极之间的距离在所述质量分离磁铁的内部是固定的，

由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向倾斜交叉。

8.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述磁极在所述离子束的长度方向上的尺寸大于所述离子束的尺寸，

所述一对磁极之间的距离在所述质量分离磁铁的内部是固定的，

由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向倾斜交叉。

9.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向垂直，并且在所述离子源和所述质量分离磁铁之间的束路径上配置有一对静电偏转电极，该一对静电偏转电极使所述离子束的行进方向在所述离子束的厚度方向上偏转，所述厚度方向与所述主平面垂直。

10.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述磁极在所述离子束的长度方向上的尺寸大于所述离子束的尺寸，

由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向垂直，并且在所述离子源和所述质量分离磁铁之间的束路径上配置有一对静电偏转电极，该一对静电偏转电极使所述离子束的行进方向在所述离子束的厚度方向上偏转，所述厚度方向与所述主平面垂直。

11.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述一对磁极之间的距离在所述质量分离磁铁的内部是固定的，

由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向垂直，并且在所述离子源和所述质量分离磁铁之间的束路径上配置有一对静电偏转电极，该一对静电偏转电极使所述离子束的行进方向在所述离子束的厚度方向上偏转，所述厚度方向与所述主平面垂直。

12.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述磁极在所述离子束的长度方向上的尺寸大于所述离子束的尺寸，

所述一对磁极之间的距离在所述质量分离磁铁的内部是固定的，

由所述离子源生成的所述离子束的行进方向与在所述质量分离磁铁内产生的磁场的方向垂直，并且在所述离子源和所述质量分离磁铁之间的束路径上配置有一对静电偏转电极，该一对静电偏转电极使所述离子束的行进方向在所述离子束的厚度方向上偏转，所述厚度方向与所述主平面垂直。