[发明专利]一种工频电源变压器低功耗待机电路无效
申请号: | 201210066315.7 | 申请日: | 2012-03-14 |
公开(公告)号: | CN102545576A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 郭祖金;聂明平 | 申请(专利权)人: | 聂明平 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人: | 胡吉科;王雨时 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源变压器 功耗 待机 电路 | ||
1.一种工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述电路包括:阻抗模块、开关控制模块以及光电隔离模块,
所述阻抗模块与所述开关控制模块相连,所述开关控制模块还与所述光电隔离模块相连,在连接变压器时,所述开关控制模块连接工频电源变压器的初级,所述光电隔离模块连接工频电源变压器的次级。
2.根据权利要求1所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述阻抗模块为电容C1,所述电容C1一端与外部的市电输入相连,另一端与开关控制模块相连。
3.根据权利要求1所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述开关控制模块包括:交流开关,与所述交流开关相连的微处理器,所述微处理器还分别与过零信号检测电路、整流稳压滤波电路相连。
4.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述交流开关包括整流桥UR1,N-MOS场效应管,所述整流桥UR1分别与阻抗模块、N-MOS场效应管相连。
5.根据权利要求4所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述N-MOS场效应管与微处理器集成为主控芯片IC1,所述微处理器为8位单片机。
6.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述交流开关为可控硅或者三极管。
7.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述整流稳压滤波电路包括整流二极管D1,所述整流二极管D1的负极与电阻R1的一端相连,所述电阻R1的另一端连接稳压二极管ZD1的负极,电容C2,所述稳压二极管ZD1的正极、电容C2的另一端接地。
8.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述过零信号检测电路包括稳压二极管ZD2以及连接于ZD2正极的限流电阻R2。
9.根据权利要求1所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述光电隔离模块包括光耦IC2,所述光耦IC2的引脚2连接二极管ZD3的正极,所述光耦IC2的引脚1连接二极管ZD3的负极、电阻R3,所述光耦IC2的引脚3、4接开关控制模块。
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