[发明专利]一种工频电源变压器低功耗待机电路无效

专利信息
申请号: 201210066315.7 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN102545576A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 郭祖金;聂明平 申请(专利权)人: 聂明平
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 代理人: 胡吉科;王雨时
地址: 523000 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源变压器 功耗 待机 电路
【权利要求书】:

1.一种工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述电路包括:阻抗模块、开关控制模块以及光电隔离模块,

所述阻抗模块与所述开关控制模块相连,所述开关控制模块还与所述光电隔离模块相连,在连接变压器时,所述开关控制模块连接工频电源变压器的初级,所述光电隔离模块连接工频电源变压器的次级。

2.根据权利要求1所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述阻抗模块为电容C1,所述电容C1一端与外部的市电输入相连,另一端与开关控制模块相连。

3.根据权利要求1所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述开关控制模块包括:交流开关,与所述交流开关相连的微处理器,所述微处理器还分别与过零信号检测电路、整流稳压滤波电路相连。

4.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述交流开关包括整流桥UR1,N-MOS场效应管,所述整流桥UR1分别与阻抗模块、N-MOS场效应管相连。

5.根据权利要求4所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述N-MOS场效应管与微处理器集成为主控芯片IC1,所述微处理器为8位单片机。

6.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述交流开关为可控硅或者三极管。

7.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述整流稳压滤波电路包括整流二极管D1,所述整流二极管D1的负极与电阻R1的一端相连,所述电阻R1的另一端连接稳压二极管ZD1的负极,电容C2,所述稳压二极管ZD1的正极、电容C2的另一端接地。

8.根据权利要求3所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述过零信号检测电路包括稳压二极管ZD2以及连接于ZD2正极的限流电阻R2。

9.根据权利要求1所述的工频电源变压器低功耗待机电路,其特征在于,所述光电隔离模块包括光耦IC2,所述光耦IC2的引脚2连接二极管ZD3的正极,所述光耦IC2的引脚1连接二极管ZD3的负极、电阻R3,所述光耦IC2的引脚3、4接开关控制模块。

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