[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上形成发光外延层；

2)于所述发光外延层上制备一层多孔SiO₂薄膜以作为电流阻挡层，并在所述发光外延层上制备出包覆该多孔SiO₂薄膜的透明导电层；

3)分别制备出P电极及N电极，以完成所述LED芯片的制备。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于：于所述步骤2)中制备多孔SiO₂薄膜包括以下步骤：

2-1)碱催化反应：将正硅酸乙酯、氨水、甘油、去离子水、以及聚乙烯醇按照体积比为1∶0.16∶2.5∶5∶0.2的配比进行混合并搅拌均匀获得混合溶液，将该混合溶液密封后置于50℃的环境中反应120小时；

2-2)酸催化反应：将经碱催化后的溶液、醋酸、以及摩尔浓度5％的聚乙烯醇按照体积比为2∶0.06∶0.4的配比进行混合并密封后置于50℃的环境中反应12小时，以获得溶胶；

2-3)涂胶：将获得的溶胶涂布于所述发光外延层上，经匀胶、甩胶以及退火后获得所述的多孔SiO₂薄膜。

3.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述LED芯片为横向结构的蓝光LED芯片。

4.根据权利要求3的LED芯片的制备方法，其特征在于：于所述步骤2)中，所述多孔SiO₂薄膜制备在所述发光外延层的P-GaN层上；所述透明导电层制备在所述发光外延层的P-GaN层上并包覆该多孔SiO₂薄膜。

5.根据权利要求1的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述LED芯片为垂直结构的蓝光LED芯片。

6.根据权利要求5述的LED芯片的制备方法，其特征在于：于所述步骤2)中，所述多孔SiO₂薄膜制备在所述发光外延层的N-GaN层上；所述透明导电层制备在所述发光外延层的N-GaN层上并包覆该多孔SiO₂薄膜。

7.根据权利要求6述的LED芯片的制备方法，其特征在于：于所述步骤2)中，还包括利用激光剥离技术将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的N-GaN层进行剥离的步骤。

8.一种LED芯片，其特征在于，至少包括：

发光外延层，包括N-GaN层、P-GaN层、以及位于所述N-GaN层与P-GaN层之间的量子阱层；

电流阻挡层，形成于所述发光外延层上，所述电流阻挡层为多孔SiO₂薄膜；

透明导电层，形成于所述发光外延层上并包覆所述电流阻挡层；

N电极及P电极，所述N电极制备在所述发光外延层的N-GaN层上，所述P电极制备在所述透明导电层或P-GaN层上。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片为横向结构的蓝光LED芯片，所述多孔SiO₂薄膜制备在所述发光外延层的P-GaN层上，所述透明导电层制备在所述发光外延层的P-GaN层上并包覆该多孔SiO₂薄膜。

10.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片为垂直结构的蓝光LED芯片，所述多孔SiO₂薄膜制备在所述发光外延层的N-GaN层上，所述透明导电层制备在所述发光外延层的N-GaN层上并包覆该多孔SiO₂薄膜。