[发明专利]半导体器件生产用耐热性压敏粘合带和使用其生产半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件生产用耐热性压敏粘合带和使用所述带生产半导体器件的方法，所述耐热性压敏粘合带在生产不使用金属引线框的无基板半导体封装体的方法中用于临时固定芯片。 

背景技术

近年来，在LSI的安装技术中CSP(芯片尺寸封装(Chip Size/Scale Package))技术备受关注。该技术中，就尺寸减少和高集成而言，由WLP(晶片级封装，Wafer Level Package)表示的以不使用基板而仅使用芯片的形式的封装为特别受关注的封装形式之一。根据WLP的生产方法，将不使用基板的以有序方式排列的多个半导体Si晶片芯片整体用包封树脂包封，然后通过切断分成单独的结构体，从而可有效生产与使用基板的常规封装体相比更小尺寸的封装体。 

此类WLP的生产方法需要将常规地固定在基板上的芯片固定在分开的(separate)支承体上。此外，在通过树脂包封成型为单独的封装体后必须解除固定。因而该支承体不应永久粘合而是必须可再剥离。从该观点来看，存在一种使用压敏粘合带作为临时固定芯片用支承体的技术。 

专利文献1：JP-A-2001-308116 

专利文献2：JP-A-2001-313350 

发明内容

发明要解决的问题

以下参考示出生产无基板半导体器件的方法的图2A至2F描述要通过本发明解决的问题。

将多个芯片1粘合至半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2，所述带2在其两侧上均具有压敏粘合剂层，并将半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2固定至基材3从而形成如图2A所示的结构。可选择地，将半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2粘合至基材3，然后将芯片1固定至所述带2从而形成如图2A所示的结构。 

用包封树脂4从具有图2A所示结构的芯片1上面包封所述芯片1以便集成多个芯片1从而形成图2B所示的结构。 

接着，如图2C所示，用包封树脂4包封的多个芯片1通过以下方法来获得：从半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2和基板3的集成产物分离用包封树脂4包封的多个芯片1的方法，或从基板剥离包括用包封树脂4包封的多个芯片1和半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的组件，接着从包封的芯片仅剥离半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的方法。 

电极5形成于在用包封树脂4包封的多个芯片1的一侧的芯片1表面上的必要区域上，在所述侧上设置有半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2并暴露芯片1的表面，由此形成图2D中所示结构。 

接着，在包封树脂侧任选地具有切割环7的切割带8粘合至所述结构以为了切割步骤的目的而固定用包封树脂4包封的多个芯片1。如图2E所示将所得组件用切割刀6进行切割，由此最终获得各自具有用树脂包封的多个芯片的多个无基板封装体，如图2F所示。 

在用树脂包封时，存在以下情况：由于半导体器件生产用 耐热性压敏粘合带2的基材层和压敏粘合剂层的膨胀和弹性，示于图3(a)的半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2沿如图3(b)所示的平面方向变形，由此在一些情况下半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2上设置的芯片1的位置会移动。 

结果，在设置电极于芯片1上时，芯片和电极之间的相对位置关系不同于预定的位置关系。此外，在用树脂包封芯片1及随后切割时，基于芯片1的预定位置而预先确定的在切割步骤中的切割线不同于由于芯片1的实际位置而变得必要的切割线。 

在此类情况下，通过切割获得的各封装体在包封芯片的位置处产生偏移，并且随后的步骤不能平稳地进行。另外，可能不期望地获得不充分包封的封装体。 

在从用树脂包封的芯片剥离半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2时，特别根据在半导体器件生产用耐热性压敏粘合带2的芯片侧形成的压敏粘合剂的性质，所述带具有重剥离性。因此，存在剥离变得困难，如图4所示粘合剂残留，或发生剥离带电(peel charging)的顾虑。 

在剥离变得困难的场合下，剥离时间延长，由于重剥离性导致生产性劣化。在粘合剂9如图4中所示残留的场合下，不能进行随后的步骤如电极的形成。此外，在产生剥离放电(peel discharging)的场合下，可由于灰尘等的附着在随后的步骤中产生不利情况。 

如上所述，在使用压敏粘合带生产无基板半导体封装体的方法中，由于当用树脂包封时的压力，芯片不被所述带支持，并偏移指定位置。可选择地，由于包封树脂的固化和热，半导体器件生产用耐热性压敏粘合带可以变得强烈地粘合至芯片面或包封树脂面，并且在剥离所述带时封装体破损。